[發明專利]半導體模塊及其形成方法

在審

• 申請號: 201310235218.0
• 申請日: 2013-06-14
• 公開（公告）號: CN103515346A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: F.布魯奇;D.奇奧拉;E.格里布爾;R.奧特倫巴
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L21/60
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 蔣駿;劉春元

1.?一種半導體模塊，包括：

第一半導體裝置，具有第一多個引線，該第一多個引線包括第一柵極/基極引線、第一漏極/集電極引線和第一源極/發射極引線；

第二半導體裝置，具有第二多個引線，該第二多個引線包括第二柵極/基極引線、第二漏極/集電極引線和第二源極/發射極引線；以及

電路板，具有多個安裝孔，其中該第一多個引線和該第二多個引線中的每個被安裝到多個安裝孔中的相應的一個中，其中在多個安裝孔處，從第一柵極/基極引線到第二柵極/基極引線的第一距離不同于從第一源極/發射極引線到第二源極/發射極引線的距離。

2.?根據權利要求1的半導體模塊，其中的第一柵極/基極引線被電耦合到第二柵極/基極引線，其中第一源極/發射極引線被電耦合到第二源極/發射極引線，且其中第一漏極/集電極引線被耦合到第二漏極/集電極引線。

3.?根據權利要求1的半導體模塊，其中在多個安裝孔處，第一漏極/集電極引線和第二漏極/集電極引線之間的第三距離不同于第一距離。

4.?根據權利要求3的半導體模塊，其中第三距離不同于第二距離。

5.?根據權利要求1的半導體模塊，其中第一源極/發射極引線與第二源極/發射極引線相鄰，且其中第一距離大于第二距離。

6.?根據權利要求1的半導體模塊，進一步包括被置于電路板中的再分配層，該再分配層包括將第一柵極/基極引線耦合到第二柵極/基極引線的第一金屬線、將第一漏極/集電極引線耦合到第二漏極/集電極引線的第二金屬線、以及將第一源極/發射極引線耦合到第二源極/發射極引線的第三金屬線。

7.?根據權利要求6的半導體模塊，其中第一金屬線、第二金屬線和第三金屬線被置于再分配層中的同一垂直金屬層級中。

8.?根據權利要求1的半導體模塊，進一步包括被置于第一半導體裝置和第二半導體裝置下方的散熱片。

9.?一種半導體模塊，包括：

第一半導體裝置，包括第一離散部件，并具有以第一順序布置的第一多個引線，該第一多個引線包括第一柵極/基極引線；以及

第二半導體裝置，包括第二離散部件，并具有以第二順序布置的第二多個引線，該第二多個引線包括第二柵極/基極引線；其中第一順序中的第一柵極/基極引線的位置不同于第二順序中的第二柵極/基極引線的位置，且其中第一半導體裝置和第二半導體裝置包括基本上相同的封裝尺寸。

10.?根據權利要求9的半導體模塊，其中第一半導體裝置和第二半導體裝置通過電路板被平行地耦合。

11.?根據權利要求9的半導體模塊，其中第一離散部件包括離散絕緣柵極雙極性晶體管，并且其中第二離散部件也包括離散絕緣柵極雙極性晶體管。

12.?根據權利要求9的半導體模塊，其中第一離散部件包括離散金屬絕緣體場效應晶體管，并且其中第二離散部件也包括離散金屬絕緣體場效應晶體管。

13.?根據權利要求9的半導體模塊，其中第一順序包括第一柵極/基極引線、繼之以第一漏極/集電極引線、繼之以第一源極/發射極引線，并且其中第二順序包括第二源極/發射極引線、繼之以第二漏極/集電極引線、繼之以第二柵極/基極引線。

14.?根據權利要求9的半導體模塊，其中第一順序包括第一柵極/基極引線、繼之以第一漏極/集電極引線、繼之以第一源極/發射極引線，并且其中第二順序包括第二源極/發射極引線、繼之以第二柵極/基極引線、并繼之以第二漏極/集電極引線。

15.?根據權利要求9的半導體模塊，其中第一順序包括第一柵極/基極引線、繼之以第一漏極/集電極引線、繼之以第一源極/發射極引線，并且其中第二順序包括第二漏極/集電極引線、繼之以第二第二柵極/基極引線、并繼之以第二源極/發射極引線。

16.?根據權利要求9的半導體模塊，其中第一順序包括第一柵極/基極引線、繼之以第一漏極/集電極引線、繼之以第一源極/發射極引線，并且其中第二順序包括第二漏極/集電極引線、繼之以第二源極/發射極引線、并繼之以第二柵極/基極引線。