[發明專利]一種可中低溫燒結高介電微波介質陶瓷及其制備方法無效
| 申請號: | 201310235066.4 | 申請日: | 2013-06-14 |
| 公開(公告)號: | CN103274684A | 公開(公告)日: | 2013-09-04 |
| 發明(設計)人: | 袁昌來;陳國華;楊云;周秀娟;周昌榮 | 申請(專利權)人: | 桂林電子科技大學 |
| 主分類號: | C04B35/462 | 分類號: | C04B35/462;C04B35/50;C04B35/622 |
| 代理公司: | 桂林市華杰專利商標事務所有限責任公司 45112 | 代理人: | 羅玉榮 |
| 地址: | 541004 廣西*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 低溫 燒結 高介電 微波 介質 陶瓷 及其 制備 方法 | ||
1.一種可中低溫燒結高介電微波介質陶瓷的制備方法,其特征是:包括如下步驟:
(1)合成(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Sm0.5)1-xTiO3粉體:按原料以CaCO3:SrCO3:Li2CO3:Sm2O3、TiO2?=?0.8x:0.2x:(0.5-0.5x):(0.5-0.5x):1摩爾比例混合,球磨過篩,烘干,在1100℃保溫4小時進行預燒,把所得預燒粉體進行二次球磨過篩,獲得(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Sm0.5)1-xTiO3粉體,其中0.2≤x≤0.4;
(2)合成Bi4B2O9、Bi2W2O9、Bi2MoO6助燒劑:以Bi2O3、WO3、MoO3、B2O3為原料,按Bi2O3:MoO3?=?1:1摩爾比、Bi2O3:B2O3?=?2:1摩爾比、Bi2O3:WO3?=?1:2摩爾比各自混合球磨并烘干,然后把所得Bi2O3-MoO3混合物、Bi2O3-B2O3混合物、Bi2O3-WO3混合物分別在450℃、550℃、650℃下保溫8小時合成,從而獲得Bi4B2O9、Bi2W2O9、Bi2MoO6助燒劑;
(3)將步驟(2)合成的Bi4B2O9、Bi2W2O9、Bi2MoO6助燒劑分別與步驟(1)合成的(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Sm0.5)1-xTiO3粉體混合球磨復合,烘干,得含助燒劑的(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Sm0.5)1-xTiO3粉體;
(4)壓制成型:把步驟(3)獲得的含助燒劑的(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Sm0.5)1-xTiO3粉體加入聚乙烯醇(PVA)混合均勻,烘干,然后在成型機上壓制成圓形坯體;
(5)可中低溫燒結微波介質陶瓷坯體燒結:把所得坯體在900~1050℃溫度下保溫4小時燒結成瓷,即得到含助燒劑的(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Sm0.5)1-xTiO3可中低溫燒結高介電微波介質陶瓷。
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