[發明專利]溝槽的制造方法

有效

• 申請號: 201310234433.9
• 申請日: 2013-06-13
• 公開（公告）號: CN104241189B
• 公開（公告）日: 2017-09-26
• 發明（設計）人: 陳俊旭;李書銘
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/306
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 姚亮

1.一種溝槽的制造方法，包括以下步驟：

提供一基板；

形成至少一絕緣層于所述基板之上；

形成一硬罩幕層于所述絕緣層之上；

圖案化所述硬罩幕層，以得到具有一開口的圖案化硬罩幕層；

進行一第一蝕刻步驟，沿著所述開口蝕刻所述絕緣層，以形成一溝槽；

填充一光阻于所述溝槽中與所述圖案化硬罩幕層之上；

進行一第二蝕刻步驟，以蝕刻部分的所述圖案化硬罩幕層且曝露出所述圖案化硬罩幕層；

進行一第三蝕刻步驟，以移除所述圖案化硬罩幕層；以及

進行一第四蝕刻步驟，以移除所述光阻；

其中，所述第二蝕刻步驟、所述第三蝕刻步驟與所述第四蝕刻步驟是于同一反應腔體中連續進行，且所述基板在所述第二蝕刻步驟至所述第三蝕刻步驟之間，以及在所述第三蝕刻步驟至所述第四蝕刻步驟之間皆未移出所述反應腔體。

2.如權利要求1所述的溝槽的制造方法，其中，所述絕緣層包括氧化硅層、氮化硅層或上述的組合。

3.如權利要求1所述的溝槽的制造方法，其中，所述絕緣層的厚度為50-300nm。

4.如權利要求1所述的溝槽的制造方法，其中，所述硬罩幕層包括多晶硅、氮化硅或上述的組合。

5.如權利要求1所述的溝槽的制造方法，其中，所述硬罩幕層的厚度為50-200nm。

6.如權利要求1所述的溝槽的制造方法，其中，所述溝槽的深寬比為7/1-10/1。

7.如權利要求1所述的溝槽的制造方法，其中在進行所述第四蝕刻步驟之后，尚包括：進行一清潔步驟，以移除殘留于所述絕緣層之上的一高分子，其中，所述清潔步驟為使用硫酸。

8.如權利要求1所述的溝槽的制造方法，其中，所述第一蝕刻步驟包括干式蝕刻法。

9.如權利要求1所述的溝槽的制造方法，其中，所述第二蝕刻步驟、所述第三蝕刻步驟與所述第四蝕刻步驟為干式蝕刻步驟。