[發明專利]氦氧飽和高氣壓條件下細菌暴露生長模型生長艙室及應用無效
| 申請號: | 201310233952.3 | 申請日: | 2013-06-13 |
| 公開(公告)號: | CN103333788A | 公開(公告)日: | 2013-10-02 |
| 發明(設計)人: | 陳雙紅;徐雄利;陳銳勇;陳海庭;王艷軍;翟宇佳;田力;李慈;武文斌;王明科 | 申請(專利權)人: | 中國人民解放軍海軍醫學研究所 |
| 主分類號: | C12M1/00 | 分類號: | C12M1/00;C12N1/20 |
| 代理公司: | 上海金盛協力知識產權代理有限公司 31242 | 代理人: | 羅大忱 |
| 地址: | 200433 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 飽和 氣壓 條件下 細菌 暴露 生長 模型 艙室 應用 | ||
1.用于建立細菌暴露模型的氦氧飽和高氣壓細菌暴露生長艙室:其特征在于:?
⑴細菌飽和暴露時,氧分壓為40~50KPa;?
⑵細菌飽和暴露時,二氧化碳分為0.40~0.50KPa;?
⑶細菌飽和暴露時,溫度為30~35℃;?
⑷細菌飽和暴露時,濕度為50~60%;?
⑸細菌飽和暴露時,生長艙室環境氣密性要求4.6MPa保壓24小時泄漏率不大于1%;?
⑹細菌飽和暴露時,生長艙室氣體潔凈度要求18~24小時保壓,無其他氣源檢出。?
2.采用權利要求1所述的細菌暴露生長艙室,建立模型所需的細菌穩態生長的暴露方法,其特征在于,包括如下條件:?
⑴細菌暴露時,加壓的速率不小于0.3MPa/min,直至預定穩壓;?
⑵細菌暴露加壓時,以8~10%氦氧混合氣建立氧分壓,以純氦補充至終壓力;?
⑶細菌暴露加壓至穩壓時程不超過2h,優選的為0.5~1.0小時;?
⑷細菌暴露飽和停留時,氧分壓不大于50KPa,優選為40~50KPa;?
⑸細菌暴露飽和停留時,二氧化碳分壓不大于0.50KPa,優選為0.4~0.5KPa;?
⑹細菌暴露飽和停留時,艙室總壓力波動范圍不大于5m,優選為4.0~4.5m;?
⑺穩壓維持時,任何一種補充氣源的維持速率不大于1.2m/min,優選為1.0~1.2m/min;?
⑻細菌暴露結束后,減壓的速率不小于0.08MPa/min,優選為0.12~0.15MPa/min;?
⑼細菌暴露后減壓至12m以深氧分壓不大于50KPa,優選40~45KPa;?
12m以淺氧分壓不大于25%,優選為20~25%;?
⑽細菌暴露后,減壓的時間不小于1.5h,優選2.5~3.5小時。?
3.采用權利要求1所述的細菌暴露生長艙室和權利要求2所述的方法,穩態生長的銅綠假單胞菌模型的建立方法,包括如下步驟:?
⑴銅綠假單胞菌活化、傳代及對數生長期細菌培養;?
⑵銅綠假單胞菌暴露生長:?
①加壓生長時程不超過2小時;?
②穩壓飽和暴露生長時間不小于72小時,優選72~144小時;?
③減壓暴露生長時間不小于1.5小時,優選2.5~3.5小時;?
⑶暴露生長銅綠假單胞菌生長增殖的檢測:?
⑷暴露生長細菌基因型穩定性的測定;?
⑸暴露生長細菌誘導的毒力生長表型檢測。?
4.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,步驟(1)包括如下步驟:?
①用LB半固體斜面活化甘油菌,甘油體積濃度為35-50%;?
②LB-Broth固體培養基進行傳代培養,要求培養基添加Tc濃度10-20ng/ml、傳代次數不小于6代;?
③傳代細菌以LB液體培養基(添加Tc)進行指數生長細菌培養,培養時間不大于4h。?
5.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,步驟(3)包括如下步驟:?
①不同生長時相點暴露細菌的收集及處理;?
②處理后細菌OD650的測定;?
③繪制曲線并與同期普通環境生長細菌增殖曲線,要求細菌生長曲線有四個典型的生長期特征。?
6.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,步驟(4)包括如下步驟:?
①不同暴露生長時相點細菌的收集及基因組DNA的提取;?
②7個代表性看家基因(acsA、aroE、guaA、mutL、nuoD、ppsA?and?trpE)引物設計及ORF?PCR擴增的方法及步驟;?
③PCR擴增產物測序引物的設計、測序方法及序列比對,要求暴露細菌被檢測基因與同期生長標準菌序列相似度不小于97%,無gap標記;?
④序列信息的生物信息學分析,要求暴露細菌STs信息與同期暴露標準菌相比,平均變異系數H值趨近0,基因重組連鎖不平衡系數IAS趨近0。?
7.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,步驟(5)包括如下步驟:?
①用半固體培養基檢測細菌的運動能力;?
②用底物代謝法測彈性蛋白酶活性;?
③用OD520測綠膿菌素含量;?
④用秀麗隱桿線蟲模型檢測暴露菌毒力。?
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