[發(fā)明專利]半導(dǎo)體基板及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310233893.X
• 申請日: 2013-06-13
• 公開（公告）號: CN104241239B
• 公開（公告）日: 2017-11-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖國成;李俊哲;蘇洹漳;鄭文吉;丁一權(quán)
• 申請（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司31100
• 代理人: 陸勍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明關(guān)于一種基板及其制造方法。詳言之，本發(fā)明關(guān)于一種半導(dǎo)體基板及其制造方法。

背景技術(shù)

已知半導(dǎo)體基板中，位于最外層的線路層嵌于基板的絕緣層的表面，且顯露于該絕緣層的表面。由于該線路層的顯露表面會與該絕緣層的表面共平面，因此，當(dāng)接合一覆晶芯片時(shí)，若該線路基板發(fā)生翹曲，則部分該覆晶芯片的凸塊(例如：錫球)會沒有接觸到該線路層而導(dǎo)致開路(Open Circuit)，造成產(chǎn)品失敗。

為了改善上述缺點(diǎn)，一種新的解決方案被提出。該解決方案先在該線路層的顯露表面上形成凸塊(例如：銅柱)，再與該覆晶芯片做接合。目前已知將該凸塊形成于該線路層上的方式(例如：電鍍或蝕刻)被提出。然而，該等目前方式所形成的凸塊皆有偏移(Offset)的問題，亦即，凸塊無法位于該線路層接墊(Pad)的正上方，而會覆蓋到部分該絕緣層的表面。此種情況在該線路與線路彼此的距離愈近且愈密時(shí)，是不被允許的，因?yàn)檫@樣容易造成該覆晶芯片的凸塊同時(shí)接觸該偏移的凸塊與其鄰近的接墊或跡線(Trace)，而導(dǎo)致橋接(Bridge)，造成產(chǎn)品失敗。

發(fā)明內(nèi)容

本揭露的一方面關(guān)于一種半導(dǎo)體基板的制造方法。在一實(shí)施例中，該制造方法包括以下步驟：提供一內(nèi)埋線路基板，該內(nèi)埋線路基板包括一絕緣層、一第一線路層及數(shù)個(gè)導(dǎo)電通道，其中該絕緣層具有一第一表面及一第二表面，該第一線路層嵌于該絕緣層的第一表面內(nèi)，且顯露于該絕緣層的第一表面，該等導(dǎo)電通道貫穿該絕緣層且接觸該第一線路層；形成一光阻層于該第一線路層上，其中該光阻層具有數(shù)個(gè)開口，該等開口顯露部份該第一線路層；及形成數(shù)個(gè)凸塊于該顯露的第一線路層上。

在本實(shí)施例中，該等凸塊形成于該顯露的第一線路層上。因此，該等凸塊完全位于該等接墊的正上方。當(dāng)該半導(dǎo)體基板與一覆晶芯片做接合時(shí)，該覆晶芯片的凸塊可直接接觸該半導(dǎo)體基板的該等凸塊，而不易發(fā)生接觸到該等凸塊鄰近的接墊或跡線導(dǎo)致橋接的情況。尤其當(dāng)該第一線路層為細(xì)線路時(shí)，上述橋接情況仍不易發(fā)生，而可以維持產(chǎn)品的良率。

本揭露的另一方面關(guān)于一種半導(dǎo)體基板。在一實(shí)施例中，該半導(dǎo)體基板包括一絕緣層、一第一線路層、一第二線路層、數(shù)個(gè)導(dǎo)電通道及數(shù)個(gè)凸塊。該絕緣層具有一第一表面及一第二表面。該第一線路層嵌于該絕緣層的第一表面，且顯露于絕緣層的第一表面。該第二線路層位于該絕緣層的第二表面上。該等導(dǎo)電通道貫穿該絕緣層且電性連接該第一線路層及該第二線路層。該等凸塊直接位于部份該第一線路層上，其中該等凸塊的晶格與該第一線路層的晶格相同。

附圖說明

圖1顯示本發(fā)明半導(dǎo)體基板的一實(shí)施例的局部剖視示意圖。

圖2至圖11顯示本發(fā)明半導(dǎo)體基板的制造方法一實(shí)施例的示意圖。

圖12a顯示該第二光阻層的一實(shí)例。

圖12b顯示該第二光阻層的另一實(shí)例。

圖13顯示該第二光阻層的另一實(shí)例。

圖14顯示本發(fā)明半導(dǎo)體基板的另一實(shí)施例的局部剖視示意圖。

圖15至圖16顯示本發(fā)明半導(dǎo)體基板的制造方法的另一實(shí)施例的示意圖。

圖17顯示本發(fā)明半導(dǎo)體基板的另一實(shí)施例的局部剖視示意圖。

圖18至圖19顯示本發(fā)明半導(dǎo)體基板的制造方法的另一實(shí)施例的示意圖。

具體實(shí)施方式

參考圖1，顯示本發(fā)明半導(dǎo)體基板的一實(shí)施例的局部剖視示意圖。該半導(dǎo)體基板1包括一絕緣層16、一第一線路層14、一第二線路層30、數(shù)個(gè)導(dǎo)電通道221、數(shù)個(gè)凸塊28、一第一保護(hù)層32及一第二保護(hù)層34。

該絕緣層16為絕緣材料或介電材料，例如：聚丙烯(PolyproPylene，PP)，其具有一第一表面161、一第二表面162及數(shù)個(gè)貫穿孔20。該第一線路層14嵌于或內(nèi)埋于該絕緣層16的第一表面161，且顯露于該絕緣層16的第一表面161。該第一線路層14的顯露表面大致上與該絕緣層16的第一表面161共平面。在本實(shí)施例中，該第一線路層14為一圖案化導(dǎo)電線路層，其包括數(shù)個(gè)接墊(Pad)141及數(shù)個(gè)跡線(Trace)142。該第一線路層14的材質(zhì)為電鍍銅(Electroplated Copper)，其利用電鍍工藝所形成。