[發明專利]一種薄膜晶體管的制備方法

有效

• 申請號: 201310233880.2
• 申請日: 2013-06-13
• 公開（公告）號: CN103337462B
• 公開（公告）日: 2017-03-22
• 發明（設計）人: 張盛東;冷傳利
• 申請（專利權）人: 北京大學深圳研究生院
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京君尚知識產權代理事務所(普通合伙)11200
• 代理人: 余長江

1.一種薄膜晶體管的制備方法，其步驟包括：

1）在襯底上制備柵電極；

2）在襯底正面生成覆蓋在所述柵電極之上的柵介質層；

3）在所述柵介質層上連續生成金屬氧化物半導體層和在弱酸性或弱堿性溶液中具有高腐蝕速率的透明導電層，并通過光刻和刻蝕形成有源層圖形；

4）利用透明導電層和金屬氧化物半導體層在弱酸性或弱堿性溶液中的腐蝕速率的差異，形成源漏電極區；

5）生長鈍化層并制作電極和互聯線。

2.一種薄膜晶體管的制備方法，其步驟包括：

1）在襯底上制備柵電極；

2）在襯底正面生成覆蓋在所述柵電極之上的柵介質層；

3）在所述柵介質層上生成金屬氧化物半導體層，并通過光刻并刻蝕形成有源層圖形；

4）在所述金屬氧化物半導體層上生成在弱酸性或弱堿性溶液中具有高腐蝕速率的透明導電層；

5）利用透明導電層和金屬氧化物半導體層在弱酸性或弱堿性溶液中的腐蝕速率的差異，形成源漏電極區；

6）生長鈍化層并制作電極和互聯線。

3.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述柵介質和所述金屬氧化物半導體層為透明材料，所述柵電極為金屬電極；在形成所述源漏電極區時所用光刻膠為負性光刻膠，在襯底正面所述透明導電層上涂布該負性光刻膠層，然后從襯底的背面以所述柵電極為掩膜進行曝光并顯影形成光刻膠圖形。

4.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于：形成所述源漏電極區時所用光刻膠為正性光刻膠，通過直接對其進行光刻和刻蝕使溝道區露出。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于：所述柵電極為金屬薄膜或透明導電薄膜。

6.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述透明導電層上通過光刻和刻蝕形成有源層圖形之前，在所述透明導電層上形成一層掩膜層，然后在該掩膜層上涂布光刻膠并進行光刻和刻蝕。

7.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述金屬氧化物半導體層為下列中的一種：氧化銦鎵鋅、氧化錫、氧化銦、氧化鎘銦、摻銻氧化錫、摻氟氧化錫、氧化銦錫。

8.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述透明導電層為下列中的一種：氧化鋅、氧化鋅鋁、氧化鋅硼。

9.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述金屬氧化物半導體層和所述透明導電層采用磁控濺射方法形成。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的方法制備的金屬氧化物半導體薄膜晶體管。