[發(fā)明專利]具有延伸的柵極介電層的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310233806.0
• 申請(qǐng)日: 2013-06-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104037225B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-03-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林炫政;程世偉;朱則榮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種制造金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法，包括：

在襯底上方形成柵極介電層；

在所述柵極介電層上方形成柵電極，至少一部分所述柵極介電層沒(méi)有被所述柵電極所覆蓋；以及

在所述襯底中形成源極和漏極，所述柵極介電層朝向所述源極和所述漏極中的至少一個(gè)延伸超過(guò)所述柵電極，所述柵極介電層的底面與所述源極的頂面和所述漏極的頂面齊平；

沿著所述柵電極的第一側(cè)壁并在所述柵極介電層的上方形成第一間隔件；

沿著所述柵電極的第二側(cè)壁并在所述柵極介電層的上方形成第二間隔件；

其中，在所述襯底上方形成所述柵極介電層包括：

在所述襯底上方形成氧化物層；

蝕刻位于源極側(cè)上的所述氧化物層；

在所述襯底上的位于漏極側(cè)的所述氧化物層上再次生長(zhǎng)附加氧化物層，使得所述柵極介電層的朝向所述漏極的部分比朝向所述源極的部分厚。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法，其中，所述柵極介電層延伸超過(guò)所述柵電極的長(zhǎng)度至少為所述柵極介電層的厚度的0.5倍。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法，其中，所述柵極介電層延伸超過(guò)所述柵電極的長(zhǎng)度在0.03μm至0.3μm的范圍內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法，其中，所述柵極介電層包括二氧化硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法，其中，所述柵電極包括多晶硅或金屬。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法，進(jìn)一步包括：形成鄰近所述柵電極設(shè)置在所述襯底中的至少一個(gè)輕摻雜區(qū)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法，所述間隔件包括氮化硅或二氧化硅。