[發(fā)明專利]電壓調(diào)整電路

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310233686.4
• 申請(qǐng)日: 2013-06-14
• 公開（公告）號(hào): CN104238609A
• 公開（公告）日: 2014-12-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曾祥賓;李民偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號(hào): G05F1/56
• 分類號(hào): G05F1/56
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種電壓調(diào)整電路，包括一電壓轉(zhuǎn)換單元，所述電壓轉(zhuǎn)換單元包括一同步降壓控制器，其特征在于：所述同步降壓控制器包括一電壓輸出反饋端及一輸出電流反饋端，所述電壓輸出反饋端通過一電感連接一電壓輸出端，所述電壓調(diào)整電路還包括一連接所述電壓輸出端的第一分壓電阻單元及一第二分壓電阻單元，所述電壓輸出端通過所述第一分壓電阻單元連接所述輸出電流反饋端，所述輸出電流反饋端通過所述第二分壓電阻單元接地，所述第二分壓電阻單元包括一負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻，所述負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻能夠根據(jù)感應(yīng)到的所述電感的溫度變化而改變自身的電阻值，所述電壓轉(zhuǎn)換單元用于調(diào)整所述電壓輸出反饋端的電壓而調(diào)整所述電壓輸出端的電壓從而維持所述電壓輸出反饋端的電壓穩(wěn)定。

2.如權(quán)利要求1所述的電壓調(diào)整電路，其特征在于：所述電源調(diào)整模塊還包括連接所述同步降壓控制器的一第一晶體管及一第二晶體管，所述第一晶體管及所述第二晶體管均包括一導(dǎo)通端、一第一連接端及一第二連接端，所述第一晶體管的第一連接端連接一電源，所述第二晶體管的第二連接端接地，所述電壓輸出反饋端、所述第一晶體管的第二連接端及所述第二晶體管的第一連接端均連接一第一節(jié)點(diǎn)，所述電感連接于所述第一節(jié)點(diǎn)與一第二節(jié)點(diǎn)之間，所述第二節(jié)點(diǎn)連接所述電壓輸出端，所述第二節(jié)點(diǎn)連接所述第一分壓?jiǎn)卧鐾浇祲嚎刂破鞯囊桓叨碎T場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出端連接所述第一晶體管的導(dǎo)通端，所述同步降壓控制器的一低端門場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出端連接所述第二晶體管的導(dǎo)通端，所述同步降壓控制器的電壓輸出反饋端連接所述第一節(jié)點(diǎn)，所述同步降壓控制器的輸出電流反饋端連接一第三節(jié)點(diǎn)。

3.如權(quán)利要求2所述的電壓調(diào)整電路，其特征在于：所述第一分壓電阻單元為一第一電阻，一第二電阻與一可變分壓電阻組并聯(lián)，所述可變分壓電阻組包括一第三電阻及一可變電阻組，所述第一電阻連接于所述第二節(jié)點(diǎn)與所述第三節(jié)點(diǎn)之間，所述第二電阻連接于所述第三節(jié)點(diǎn)與地之間，所述可變電阻組連接于一公共端與地之間，所述第三電阻連接于所述第三節(jié)點(diǎn)與所述公共端之間。

4.如權(quán)利要求3所述的電壓調(diào)整電路，其特征在于：所述可變電阻組還包括一與所述負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻并聯(lián)的第四電阻，所述負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻及所述第四電阻均連接于所述公共端及地之間，所述負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻用于感應(yīng)所述電感的溫度的升高時(shí)而減小電阻值從而減小所述輸出電流反饋端的電壓，所述電壓轉(zhuǎn)換單元用于減小所述電壓輸出反饋端的電壓而減小所述電壓輸出端的電壓從而維持所述輸出電流反饋端的電壓穩(wěn)定，所述負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻還用于感應(yīng)所述電感的溫度的降低時(shí)而增大電阻值從而增大所述輸出電流反饋端的電壓，所述電壓轉(zhuǎn)換單元還用于增大所述電壓輸出反饋端的電壓而增大所述電壓輸出端的電壓從而維持所述輸出電流反饋端的電壓穩(wěn)定。

5.如權(quán)利要求2所述的電壓調(diào)整電路，其特征在于：所述同步降壓控制器的輸出電壓端連接所述第二節(jié)點(diǎn)。

6.如權(quán)利要求2所述的電壓調(diào)整電路，其特征在于：所述第一晶體管及所述第二晶體管為N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管，所述第一晶體管及所述第二晶體管的導(dǎo)通端、第一連接端及所述第二連接端分別對(duì)應(yīng)于所述N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管的柵極、漏極及源極。

7.如權(quán)利要求1所述的電壓調(diào)整電路，其特征在于：所述同步降壓控制器的接地端接地。

8.如權(quán)利要求1所述的電壓調(diào)整電路，其特征在于：所述同步降壓控制器的型號(hào)為TPS51117。