[發明專利]臺階型微凸點結構及其制備方法

無效

• 申請號: 201310232602.5
• 申請日: 2013-06-09
• 公開（公告）號: CN103325751A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發明（設計）人: 王宏杰;陸原
• 申請（專利權）人: 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L21/60
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所 32104
• 代理人: 曹祖良

1.一種臺階型微凸點結構，包括基板體（110）及位于所述基板體（110）上的連接電極層（111）、鈍化層（112）及凸點下金屬化層（113）；所述凸點下金屬化層（113）上設有金屬柱（220）；其特征是：所述金屬柱（220）至少包括第一柱體層（221）及位于所述第一柱體層（221）上的第二柱體層（222）；所述第一柱體層（221）與凸點下金屬化層（113）電連接，第二柱體層（222）與第一柱體層（221）間形成臺階；第二柱體層（222）的上方設有阻擋金屬層（330），所述阻擋金屬層（330）上設有焊料帽（400）。

2.根據權利要求1所述的臺階型微凸點結構，其特征是：所述第二柱體層（222）的外徑小于第一柱體層（221）的外徑，以使得第一柱體層（221）與第二柱體層（222）間形成臺階。

3.根據權利要求1或2所述的臺階型微凸點結構，其特征是：所述阻擋金屬層（330）位于第二柱體層（222）的頂端，焊料帽（400）通過阻擋金屬層（330）與第二柱體層（222）電連接。

4.根據權利要求1所述的臺階型微凸點結構，其特征是：所述阻擋金屬層（330）的材料包括Ni。

5.根據權利要求1所述的臺階型微凸點結構，其特征是：所述基板體（110）為封裝芯片或硅轉接板。

6.一種臺階型微凸點結構的制備方法，其特征是，所述微凸點結構的制備方法包括如下步驟：

（a）、提供基板體（110），并在所述基板體（110）上設置連接電極層（111）、鈍化層（112）及凸點下金屬化層（113），所述凸點下金屬化層（113）通過連接電極層（111）與基板體（110）電連接；

（b）、在上述凸點下金屬化層（113）上設置第一柱體層（221），所述第一柱體層（221）與凸點下金屬化層（113）電連接；

（c）、在上述第一柱體層（221）上設置用于與第一柱體層（221）形成所需臺階的柱體結構，所述柱體結構至少包括第二柱體層（222）；

（d）、在上述主體結構上設置阻擋金屬層（330）；

（e）、在上述阻擋金屬層（330）上設置與阻擋金屬層（330）相匹配的焊料帽（400）。

7.根據權利要求6所述臺階型微凸點結構的制備方法，其特征是：所述第二柱體層（222）的外徑小于第一柱體層（221）的外徑。

8.根據權利要求6所述臺階型微凸點結構的制備方法，其特征是：所述第一柱體層（221）通過電鍍設置在凸點下金屬化層（113）上。

9.根據權利要求6所述臺階型微凸點結構的制備方法，其特征是：所述基板體（110）為封裝芯片或硅轉接板。

10.根據權利要求6所述臺階型微凸點結構的制備方法，其特征是：所述鈍化層（112）包括氮化硅層。