[發明專利]固態成像裝置以及攝像機

有效

• 申請號: 201310232383.0
• 申請日: 2007-02-25
• 公開（公告）號: CN103390627A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發明（設計）人: 丸山康;山口哲司;安藤崇志;檜山晉;大岸裕子
• 申請（專利權）人: 索尼株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L31/0224
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種固態成像裝置，包括：

襯底，包括光電檢測器；

第一絕緣膜，設置在該襯底的光接收表面上或上方，具有至少部分結晶的區域；

布線層，設置在該襯底的與該光接收表面相對的表面的上方；以及

電荷積累區，具有用于抑制形成在該襯底的光接收表面和該光電檢測器之間的暗電流的功能；

其中，形成電荷積累區不需離子注入形成。

2.如權利要求1所述的固態成像裝置，其中所述第一絕緣膜由選自鉿、鋯、鋁、鉭、鈦、釔、鑭系元素的元素的氧化物構成。

3.如權利要求1所述的固態成像裝置，其中該光電檢測器在該成像裝置的成像區域中形成，外圍電路在該成像裝置的外圍電路區域中形成，該第一絕緣膜設置在該成像區域和該外圍電路區域的上方。

4.如權利要求3所述的固態成像裝置，還包括：

遮光膜，設置在該外圍電路區域中的該第一絕緣膜的上方。

5.如權利要求4所述的固態成像裝置，其中該遮光膜設置在該外圍電路區域和該成像區域的一部分的上方。

6.如權利要求5所述的固態成像裝置，其中該電荷積累區在至少部分未設置有該遮光膜的成像區域中形成。

7.如權利要求3所述的固態成像裝置，還包括：

第二絕緣膜，設置在該光接收表面和在該成像區域以及該外圍電路區域上方的該第一絕緣膜之間。

8.如權利要求4所述的固態成像裝置，還包括：

第三絕緣膜，設置在該第一絕緣膜和該遮光膜之間。

9.如權利要求1所述的固態成像裝置，其中該第一絕緣膜通過原子層沉積形成。

10.如權利要求1所述的固態成像裝置，其中該第一絕緣膜具有3nm～100nm的厚度。

11.一種攝像機，包括：

光學系統；以及

固態成像裝置，接收來自該光學系統的入射光；，

該固態成像裝置，包括：

襯底，具有第一表面和接收入射光的第二表面，該第二表面與該第一表面相對；

光電檢測器，具有第一導電類型且形成在該襯底中；

第一絕緣膜，設置在該第二表面上或上方，且具有至少部分結晶的區域；

電荷積累區，形成在該光電檢測器和在該光電檢測器之上或上方未形成有第二導電型區域的該第二表面之間；

布線層，設置在該第一表面的上方。

12.如權利要求11所述的攝像機，其中該第一導電類型是n-型，該第二導電類型是p-型。

13.如權利要求11所述的攝像機，其中該第一絕緣膜具有電勢控制功能，控制該光電檢測器上方的電勢。

14.如權利要求11所述的攝像機，其中所述第一絕緣膜由選自鉿、鋯、鋁、鉭、鈦、釔、鑭系元素的元素的氧化物構成。

15.如權利要求14所述的攝像機，其中該第一絕緣膜具有3nm～100nm的厚度。

16.如權利要求11所述的攝像機，其中該光電檢測器形成在該成像裝置的成像區域中，外圍電路形成在該成像裝置的外圍電路區域中，該第一絕緣膜設置在該成像區域和該外圍電路區域的上方。

17.如權利要求16所述的攝像機，還包括：

遮光膜，設置在該外圍電路區域和該成像區域的一部分的上方。

18.如權利要求11所述的攝像機，其中該第一絕緣膜通過原子層沉積形成。

19.如權利要求18所述的攝像機，還包括：

第二絕緣膜，設置在該第二表面和該第一表面之間。

20.如權利要求19所述的攝像機，其中該第二絕緣膜由氧化硅組成。