[發明專利]一種Si納米線陣列的制備方法

無效

• 申請號: 201310232302.7
• 申請日: 2013-06-13
• 公開（公告）號: CN103337455A
• 公開（公告）日: 2013-10-02
• 發明（設計）人: 何海平;甘露;孫陸威;葉志鎮
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/28;C01B33/021;B82Y40/00
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 韓介梅

1.一種Si納米線陣列的制備方法，包括以下步驟：

1）將重摻（1?0?0）型硅片用RCA方法清洗后，放入質量濃度97％的硫酸和質量濃度30%的雙氧水按體積比為3：1的混合液中，浸泡至少10?min，用去離子水沖洗，再放入體積濃度10%的氫氟酸緩沖液中浸泡至少3?min；

2）將氫氟酸和硝酸銀混合，配制成反應液I，氫氟酸的濃度為4.65?mol/L，硝酸銀的濃度為0.02?mol/L；將氫氟酸與雙氧水混合，配制成反應液II，氫氟酸的濃度為4.65?mol/L，雙氧水濃度為0.5?mol/L；

3）將經步驟1）處理的硅片拋光面朝上水平放入反應液I中，浸泡1?min取出，用去離子水沖洗后放入反應液II中，反應30～90?min后，在硅片上形成Si納米線陣列，將其從反應液Ⅱ中取出，放入質量濃度為30%的硝酸溶液中，浸泡至少1?h，去除Si納米線陣列表面的金屬銀顆粒，用去離子水反復沖洗，干燥。

2.根據權利要求1所述的Si納米線陣列的制備方法，其特征是重摻（1?0?0）型硅片的電阻率為0.001~0.01?Ω·cm～0.01~0.03?Ω·cm。