[發明專利]靜電放電保護結構

有效

• 申請號: 201310232133.7
• 申請日: 2013-06-09
• 公開（公告）號: CN104241265B
• 公開（公告）日: 2017-05-17
• 發明（設計）人: 甘正浩;霍曉;張莉菲;代萌;俞少峰
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種靜電放電保護結構，其特征在于，包括：

P型襯底，位于所述P型襯底內的觸發三極管和可控硅結構；

所述可控硅結構包括位于所述P型襯底內的第一N型阱區和P型阱區，所述第一N型阱區和P型阱區相鄰且相接觸，位于所述第一N型阱區內的第一P型摻雜區，位于所述P型阱區內的第二P型摻雜區和第二N型摻雜區；

所述觸發三極管的集電極、第一P型摻雜區與靜電放電輸入端相連接，所述第二N型摻雜區與靜電放電輸出端相連接，所述觸發三極管的發射極、第二P型摻雜區與升壓電阻的一端相連接，所述升壓電阻的另一端與靜電放電輸出端相連接；

其中，所述觸發三極管為NPN三極管；所述NPN三極管的具體結構包括：位于所述P型襯底內的第二N型阱區，所述第二N型阱區與第一N型阱區電學隔離；位于所述第二N型阱區內的第三N型摻雜區和P型靜電放電摻雜區，位于所述P型靜電放電摻雜區內的第四N型摻雜區，所述第三N型摻雜區、第二N型阱區、P型靜電放電摻雜區和第四N型摻雜區構成NPN三極管。

2.如權利要求1所述的靜電放電保護結構，其特征在于，所述P型靜電放電摻雜區的深度大于所述第四N型摻雜區的深度。

3.如權利要求1所述的靜電放電保護結構，其特征在于，所述P型靜電放電摻雜區的厚度范圍為100納米～400納米。

4.如權利要求1所述的靜電放電保護結構，其特征在于，所述P型靜電放電摻雜區的摻雜濃度范圍為5E17/平方厘米～5E18/平方厘米。

5.如權利要求1所述的靜電放電保護結構，其特征在于，所述P型靜電放電摻雜區的摻雜濃度大于P型阱區的摻雜濃度。

6.如權利要求1所述的靜電放電保護結構，其特征在于，所述第三N型摻雜區作為NPN三極管的集電極，所述第四N型摻雜區作為NPN三極管的發射極。

7.如權利要求1所述的靜電放電保護結構，其特征在于，所述第一P型摻雜區、第二P型摻雜區為P型重摻雜區，所述第二N型摻雜區、第三N型摻雜區、第四N型摻雜區為N型重摻雜區。

8.如權利要求1所述的靜電放電保護結構，其特征在于，還包括：位于所述第一N型阱區內的第一N型摻雜區，所述第一N型摻雜區與靜電放電輸入端相連接。

9.如權利要求1所述的靜電放電保護結構，其特征在于，所述升壓電阻的阻值范圍為0歐姆～20歐姆。

10.如權利要求1所述的靜電放電保護結構，其特征在于，所述靜電放電輸出端為接地端。