[發明專利]金屬柵極晶體管的形成方法有效
| 申請號: | 201310231964.2 | 申請日: | 2013-06-09 |
| 公開(公告)號: | CN104241131B | 公開(公告)日: | 2017-08-25 |
| 發明(設計)人: | 劉煥新 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/336 | 分類號: | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人: | 駱蘇華 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金屬 柵極 晶體管 形成 方法 | ||
1.一種金屬柵極晶體管的形成方法,其特征在于,包括:
提供襯底;
在所述襯底正面上形成偽柵極;
在所述襯底正面上形成第一層間介質層,對所述第一層間介質層進行平坦化直至露出所述偽柵極;
去除所述偽柵極以形成溝槽;
形成金屬柵極疊層,覆蓋所述第一層間介質層并填充所述溝槽,對所述金屬柵極疊層進行平坦化以在所述溝槽內形成金屬柵極;
形成所述金屬柵極之后,對所述襯底正面進行邊緣清潔處理,以使襯底側壁至預定距離的環形區域上的金屬柵極疊層被去除;
對所述襯底正面進行邊緣清潔處理包括:
固定所述襯底,使所述襯底背面朝上、正面朝下;
向所述襯底背面噴灑清洗液,噴灑出來的部分清洗液流向襯底正面邊緣。
2.根據權利要求1所述的形成方法,其特征在于,所述清洗液為氫氟酸溶液。
3.根據權利要求2所述的形成方法,其特征在于,所述氫氟酸溶液的質量百分比濃度為1%至49%。
4.根據權利要求3所述的形成方法,其特征在于,所述進行邊緣清潔處理的工藝參數包括:清洗時間為2至4min,清洗液的流速為1至2L/min,清洗溫度為室溫。
5.根據權利要求1所述的形成方法,其特征在于,向所述襯底背面噴灑清洗液的同時,向所述襯底正面吹惰性氣體。
6.根據權利要求5所述的形成方法,其特征在于,所述惰性氣體為氮氣。
7.根據權利要求5所述的形成方法,其特征在于,所述惰性氣體的流速為100至200L/min。
8.根據權利要求1所述的形成方法,其特征在于,所述預定距離大于等于3mm。
9.根據權利要求1所述的形成方法,其特征在于,所述金屬柵極疊層包括功函數層和位于功函數層上方的金屬柵極層。
10.根據權利要求9所述的形成方法,其特征在于,所述金屬柵極層的材料為Al或W。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





