[發明專利]一種半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201310231922.9
• 申請日: 2013-06-09
• 公開（公告）號: CN104241114B
• 公開（公告）日: 2017-11-10
• 發明（設計）人: 趙簡;曹軼賓;王杭萍
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/768;H01L21/308
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所11336
• 代理人: 董巍,高偉

1.一種半導體器件的制造方法，包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上依次形成蝕刻停止層、低k介電層、緩沖層和硬掩膜層,所述緩沖層由自下而上層疊的八甲基環化四硅氧烷層和正硅酸乙酯層構成；

在所述硬掩膜層中形成第一開口，以露出所述緩沖層；

執行濕法清洗過程，采用堿性溶劑作為所述濕法清洗的清洗液，以避免產生后續形成第二開口時出現的缺陷；

在所述緩沖層和所述低k介電層中形成第二開口；

在所述低k介電層中形成銅金屬互連結構。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述堿性溶劑的pH值為9.0-11.0。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一開口用作所述銅金屬互連結構中的溝槽的圖案，所述第二開口用作所述銅金屬互連結構中的通孔的圖案。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，以所述硬掩膜層為掩膜，同步蝕刻所述緩沖層和所述低k介電層，以在所述低k介電層中形成所述銅金屬互連結構。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，在所述蝕刻結束之后，還包括去除通過所述銅金屬互連結構露出的蝕刻停止層以及實施蝕刻后處理的步驟。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，在所述蝕刻后處理之后，還包括在所述銅金屬互連結構中形成銅金屬層的步驟。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，形成所述銅金屬層之前，還包括在所述銅金屬互連結構的底部和側壁上依次形成銅金屬擴散阻擋層和銅金屬種子層的步驟。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜層由自下而上層疊的金屬硬掩膜層和氧化物硬掩膜層構成。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述金屬硬掩膜層的構成材料為TiN、BN、AlN或者其組合。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述氧化物硬掩膜層的構成材料包括SiO₂或SiON，且相對于所述金屬硬掩膜層的構成材料具有較好的蝕刻選擇比。