[發明專利]圖形化襯底及其制造方法、LED芯片及其制造方法

無效

• 申請號: 201310231360.8
• 申請日: 2013-06-09
• 公開（公告）號: CN103337576A
• 公開（公告）日: 2013-10-02
• 發明（設計）人: 艾常濤;侯想;王漢華;靳彩霞;董志江
• 申請（專利權）人: 武漢迪源光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/22
• 分類號: H01L33/22;H01L33/10;H01L33/00
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司 11212
• 代理人: 楊立

1.一種圖形化襯底，其特征在于，所述圖形化襯底為藍寶石襯底，所述藍寶石襯底上具有周期性交替排列的溝槽和凸起圖形，所述凸起圖形與所述溝槽之間具有平臺階。

2.根據權利要求1所述的圖形化襯底，其特征在于，所述溝槽寬度大于或等于1.5微米并且小于或等于2.5微米。

3.根據權利要求1所述的圖形化襯底，其特征在于，所述平臺階的寬度大于或等于0.5微米并且小于或等于1微米。

4.根據權利要求1所述的圖形化襯底，其特征在于，所述凸起圖形為圓錐形。

5.根據權利要求4所述的圖形化襯底，其特征在于，圓錐形凸起圖形的直徑大于或等于2微米并且小于或等于3微米。

6.根據權利要求1所述的圖形化襯底，其特征在于，所述凸起圖形為半球形。

7.一種權利要求1所述的圖形化襯底的制造方法，包括：

步驟一，在藍寶石襯底上生長一層二氧化硅薄膜；

步驟二，在所述二氧化硅薄膜上涂布一層光刻膠；

步驟三，對光刻膠層進行光刻顯影，形成陣列式排列的光刻膠凸起；

步驟四，對具有光刻膠凸起的襯底進行感應耦合等離子體ICP刻蝕，將光刻膠圖形復制到所述二氧化硅薄膜層，形成二氧化硅梯形薄膜層和藍寶石襯底間隙周期性交替排列的表面；

步驟五，對所述藍寶石襯底間隙使用三氯化硼氣體進行感應耦合等離子體ICP刻蝕，形成藍寶石溝槽；

步驟六，將經過步驟五刻蝕后的襯底結構放在緩沖氧化蝕刻劑里面腐蝕；

步驟七，腐蝕完成后用三氯化硼和四氟甲烷的混合氣體對襯底進行過刻蝕，形成溝槽和凸起圖形周期性交替排列的圖形化襯底。

8.一種LED芯片，其特征在于，所述LED芯片具有權利要求1所述的圖形化襯底。

9.一種權利要求8所述的LED芯片的制造方法，其特征在于，包括：

在權利要求1所述的圖形化襯底上依次外延生長緩沖層、非摻雜氮化鎵層，硅摻雜n型氮化鎵、有源發光層、鎂摻雜p型氮化鎵，制備成外延片；

在所述外延片上依次生長電流擴展層、正電極和負電極，形成所述LED芯片。