[發明專利]短路保護結構

在審

• 申請號: 201310230700.5
• 申請日: 2013-06-09
• 公開（公告）號: CN103346537A
• 公開（公告）日: 2013-10-09
• 發明（設計）人: 陶平;李海松;莊華龍;易揚波
• 申請（專利權）人: 蘇州博創集成電路設計有限公司
• 主分類號: H02H7/20
• 分類號: H02H7/20;H02H3/08;H01L27/02
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102
• 代理人: 王玉國;陳忠輝

1.?短路保護結構，其特征在于：包括第一晶體管、第二晶體管、控制電路、第一晶體管電流采樣電阻和第二晶體管電流采樣電阻，其中控制電路控制第一晶體管和第二晶體管的開關時間長度及占空比，第二晶體管采樣第一晶體管的電流，所述第一晶體管的漏端連接第二晶體管的漏端，所述第一晶體管的源端接一采樣電阻，所述第二晶體管的源端接另一采樣電阻，所述第一晶體管的柵端連接第二晶體管的柵端并與控制電路的驅動級連接，所述第一晶體管和第二晶體管均為高壓晶體管，第二晶體管的尺寸小于第一晶體管尺寸。

2.根據權利要求1所述的短路保護結構，其特征在于：所述第二晶體管及第二晶體管電流采樣電阻與控制電路相集成。

3.根據權利要求1所述的短路保護結構，其特征在于：所述第一晶體管電流采樣電阻與控制電路相獨立。

4.根據權利要求1所述的短路保護結構，其特征在于：所述第一晶體管與控制電路相集成，第一晶體管為縱向高壓晶體管或橫向高壓晶體管。

5.根據權利要求1所述的短路保護結構，其特征在于：所述第一晶體管與控制電路相集成，第一晶體管為縱向高壓晶體管，第一晶體管與第二晶體管集成在同一硅片上，其結構相同以得到固定的K因子。

6.根據權利要求5所述的短路保護結構，其特征在于：所述第一晶體管與第二晶體管之間設有隔離結構。

7.根據權利要求1所述的短路保護結構，其特征在于：所述第一晶體管與控制電路相集成，第一晶體管為橫向高壓晶體管，第一晶體管與第二晶體管集成在同一硅片上，其結構相同以得到固定的K因子。

8.根據權利要求1所述的短路保護結構，其特征在于：所述第一晶體管與控制電路相獨立，第一晶體管為縱向高壓晶體管或橫向高壓晶體管。

9.根據權利要求1所述的短路保護結構，其特征在于：所述第一晶體管與控制電路相獨立，第一晶體管為縱向高壓晶體管，第二晶體管為橫向耐壓結構。

10.根據權利要求1所述的短路保護結構，其特征在于：所述第一晶體管與控制電路相獨立，第一晶體管為橫向高壓晶體管，第二晶體管為橫向耐壓結構。