[發明專利]一種具有能帶梯度分布的銅銦鋁硒（CIAS）薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 201310229778.5
• 申請日: 2013-06-09
• 公開（公告）號: CN103325886B
• 公開（公告）日: 2017-07-18
• 發明（設計）人: 徐東;徐永清;楊杰
• 申請（專利權）人: 徐東
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所44237
• 代理人: 張全文

1.一種具有能帶梯度分布的銅銦鋁硒薄膜的制備方法，包括以下步驟：

將銅源化合物、鋁源化合物、銦源化合物、硫源和油胺混合，合成銅銦鋁硫納米顆粒，其中，鋁、銦元素摩爾百分含量比為：0<鋁/(銦+鋁)<40％，所述銅銦鋁硫納米顆粒的合成溫度為180-280℃；

將所述銅銦鋁硫納米顆粒分散在有機溶劑中，配制成銅銦鋁硫納米晶墨水；

將所述銅銦鋁硫納米晶墨水涂敷在鍍雙層Mo的基體上，形成銅銦鋁硒前驅體預制膜，其中，所述鍍雙層Mo的基體為依次沉積有純Mo層和摻鋁的Mo層的基體；

將所述銅銦鋁硒前驅體預制膜經過硒化、退火處理獲得銅銦鋁硒薄膜。

2.根據權利要求1所述的具有能帶梯度分布的銅銦鋁硒薄膜的制備方法，其特征在于：銅銦鋁硒前驅體預制膜的制備過程中，所述鍍雙層Mo的基體中，摻鋁Mo層中鋁的摩爾百分含量為0.5-15％。

3.根據權利要求1或2所述的具有能帶梯度分布的銅銦鋁硒薄膜的制備方法，其特征在于：銅銦鋁硒前驅體預制膜的制備過程中，所述鍍雙層Mo的基體中，摻鋁Mo層厚度為20-500nm。

4.如權利要求1所述的具有能帶梯度分布的銅銦鋁硒薄膜的制備方法，其特征在于：所述合成銅銦鋁硫納米顆粒的步驟中，所述銅源化合物、鋁源化合物、銦源化合物分別為含有銅、鋁、銦的氯化鹽、醋酸鹽、乙酰丙酮鹽、氧化物中的至少一種；所述硫源為硫粉、硫化氫、二硫化碳、硫脲中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的具有能帶梯度分布的銅銦鋁硒薄膜的制備方法，其特征在于：所述配制成銅銦鋁硫納米晶墨水的步驟中，銅銦鋁硫納米晶墨水濃度為10-300mg/mL。

6.根據權利要求1所述的具有能帶梯度分布的銅銦鋁硒薄膜的制備方法，其特征在于：所述配制成銅銦鋁硫納米晶墨水的步驟中，所述有機溶劑為胺類、苯類或烷硫醇類化合物中的至少一種。

7.根據權利要求1所述的具有能帶梯度分布的銅銦鋁硒薄膜的制備方法，其特征在于：所述硒化的過程中，硒化溫度為500-600℃，硒化時間為10-90min。

8.根據權利要求1或7所述的具有能帶梯度分布的銅銦鋁硒薄膜的制備方法，其特征在于：所述硒化的過程中采用的硒源為硒粉、硒化氫、二乙基硒中的至少一種。