[發明專利]雙面受光太陽電池制作方法

在審

• 申請號: 201310229716.4
• 申請日: 2013-06-09
• 公開（公告）號: CN103474506A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 楊灼堅;陶龍忠
• 申請（專利權）人: 蘇州潤陽光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種雙面受光太陽電池的制作方法，其特征在于，該制作方法包括以下步驟：

步驟一：在半導體襯底(21)相對的兩個主要表面，即表面一(21a)和表面二(21b)中的一個或兩個表面上制作絨面或拋光結構；

步驟二：在步驟一所述的表面一(21a)采用熱擴散方法形成p型摻雜的摻雜層一(22)；

步驟三：在步驟一所述的表面二(21b)沉積n型摻雜的介質膜或采用離子注入方法在

表面二(21b)注入n型摻雜劑，形成位于表面二(21b)之上或位于表面二表層的富雜質層二(23)；

步驟四：對表面二進行退火處理，使步驟三所述的富雜質層二(23)中的n型雜質向半導體襯底擴散，形成摻雜層二(24)；或者是直接將富雜質層二(23)部分或全部轉化成摻雜層二(24)；

步驟五：在表面一(21a)上沉積介質薄膜一(25)，在表面二(21b)上沉積介質薄膜二(26)，并在表面一(21a)上制作鏤空的金屬電極一(27)，在表面二(21b)上制作鏤空的金屬電極二(28)。

2.根據權利要求1所述的雙面受光太陽電池制作方法，其特征在于：其步驟一中所述的半導體襯底(21)為p型或n型摻雜的硅或鍺薄片或薄膜。

3.根據權利要求1所述的雙面受光太陽電池制作方法，其特征在于：其步驟一是采用濕化學腐蝕、反應離子刻蝕或機械刻蝕方法對表面一(21a)和表面二(21b)進行處理，在表面一(21a)和表面二(21b)上均制作絨面結構，或者在表面一(21a)和表面二(21b)上均制作拋光結構，又或者在表面一(21a)或表面二(21b)中的其中一面制作絨面結構，而在另外一面制作拋光結構。

4.根據權利要求1所述的雙面受光太陽電池制作方法，其特征在于：其步驟二中所述的熱擴散方法是指，a)在表面一(21a)上涂覆或貼合含有硼、鎵、鋁或它們的化合物中的一種或多種組分的液態源或固態源，利用高溫使液態源或固態源中的硼、鎵或鋁擴散進入到表面一內；或b)在環境中通入含有硼、鎵、鋁或它們的化合物中的一種或多種組分的氣氛，在高溫下，上述硼、鎵、鋁或它們的化合物通過物理沉積或化學反應沉積在襯底表面，再利用高溫使其中的硼、鎵或鋁擴散到襯底表面。

5.根據權利要求1所述的雙面受光太陽電池制作方法，其特征在于：其步驟二和步驟三之間包括一個對表面二(21b)進行刻蝕的步驟。

6.根據權利要求1所述的雙面受光太陽電池制作方法，其特征在于：其步驟三所述的n型摻雜介質膜是通過等離子體增強化學氣相沉積、常壓化學氣相沉積或低壓化學氣相沉積方法沉積的摻有磷、氮、砷、銻、鉍或它們的化合物中的一種或多種組分的介質膜，該介質膜是由非晶硅、微晶硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅或氧化鈦組成的單層膜或多層膜。

7.根據權利要求1所述的雙面受光太陽電池制作方法，其特征在于：其步驟三所述的離子注入的離子源是含有磷、氮、砷、銻或鉍元素的離子，該離子注入步驟的注入劑量在0.1×10¹⁵～10×10¹⁵cm^-2之間。

8.根據權利要求1所述的雙面受光太陽電池制作方法，其特征在于：其步驟四所述的退火處理，還包括在退火前或退火后的單步或多步清洗或濕化學腐蝕步驟。

9.根據權利要求1所述的雙面受光太陽電池制作方法，其特征在于：其步驟五所述的介質薄膜一(25)和介質薄膜二(26)是非晶硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁、碳化硅或氧化鈦組成的單層膜或多層膜。

10.根據權利要求1所述的雙面受光太陽電池制作方法，其特征在于：其步驟五所述的金屬電極一(27)和金屬電極二(28)呈梳狀、網格狀或放射狀，覆蓋于其接觸的半導體襯底(21)表面的部分區域；或者金屬電極一(27)和金屬電極二(28)之一為平鋪狀，覆蓋該表面的全部或大部分區域，另一金屬電極呈梳狀、網格狀或放射狀，覆蓋于其接觸的襯底表面的部分區域；所述的金屬電極一(27)和金屬電極二(22)的成分為銀、鋁、銅、鎳或錫中的一種或多種組分。