[發明專利]固態儲存裝置中儲存狀態的分布曲線估計方法

有效

• 申請號: 201310229698.X
• 申請日: 2013-06-08
• 公開（公告）號: CN104240761B
• 公開（公告）日: 2017-07-14
• 發明（設計）人: 廖彥欽;張錫嘉;曾士家
• 申請（專利權）人: 光寶科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司11021
• 代理人: 梁愛榮

1.一種固態儲存裝置中儲存狀態的分布曲線估計方法，該固態儲存裝置中包括具有一第一儲存狀態的M個存儲單元，其特征在于，該分布曲線估計方法包括下列步驟：

提供多個臨限電壓，以形成多個臨限電壓區間；

計算位于每一臨限電壓區間中的存儲單元數目；

在該些臨限電壓區間中決定一位置參數區間；

計算每一臨限電壓區間的比率值以建立一分布曲線表；

于該位置參數區間決定m個候選位置參數；

決定n個候選尺度參數；

根據m個候選位置參數與n個候選尺度參數，決定m×n個候選高斯分布曲線；以及

由m×n個候選高斯分布曲線中決定一第一高斯分布曲線并定義為該第一儲存狀態的分布曲線；

其中，決定該第一高斯分布曲線包括下列步驟：

計算m×n個候選高斯分布曲線對應于該些臨限電壓區段的比率值；以及

由該m×n個候選高斯分布曲線中決定該第一高斯分布曲線；

其中，該第一高斯分布曲線所對應的比率值與該分布曲線表中對應的比率值之間具有最小的一誤差量。

2.如權利要求1所述的分布曲線估計方法，其特征在于，決定該位置參數區間包括下列步驟：

(a)決定一第一臨限電壓與一第二臨限電壓；

(b)根據該第一臨限電壓與該第二臨限電壓決定一平均臨限電壓；

(c)計算該第一臨限電壓與該平均臨限電壓之間的一第一存儲單元數目；

(d)計算該平均臨限電壓與該第二臨限電壓與之間的一第二存儲單元數目；

(e)當該第一存儲單元數目大于該第二存儲單元數目成立時，將該第二臨限電壓更新為該平均臨限電壓；若不成立時，將該第一臨限電壓更新為該平均臨限電壓；以及

(f)當步驟(e)的執行次數未到達一特定數目時，回至步驟(b)；反之，設定該第一臨限電壓至該第二臨限電壓的區間為該位置參數區間。

3.如權利要求2所述的分布曲線估計方法，其特征在于，獲得該第一存儲單元數目包括下列步驟：

將該平均臨限電壓作為一感測電壓以感測該M個存儲單元，并獲得一第一感測存儲單元數目；

將該第一臨限電壓作為該感測電壓以感測該M個存儲單元，并獲得一第二感測存儲單元數目；以及

將該第一感測存儲單元數目減去該第二感測存儲單元數目即為該第一存儲單元數目。

4.如權利要求1所述的分布曲線估計方法，其特征在于，在該些臨限電壓區間中決定一特定臨限電壓區間作為該位置參數區間，且該特定臨限電壓區間中具有最多的存儲單元數目。

5.如權利要求1所述的分布曲線估計方法，其特征在于，將每一臨限電壓區間中的存儲單元數目除以該M個存儲單元，以獲得每一臨限電壓區間的比率值用以建立該分布曲線表。