[發明專利]光學臨近效應修正方法

有效

• 申請號: 201310229404.3
• 申請日: 2013-06-08
• 公開（公告）號: CN103309149A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 陳翰;魏芳;張旭升;儲志浩
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種光學臨近效應修正方法。

背景技術

在半導體制程中，為將集成電路（IC，Integrated?Circuit）的電路圖案轉移至半導體芯片上，需要將集成電路的電路圖案設計為掩膜版圖案，再將該掩膜版圖案從掩膜版表面轉移至半導體芯片。

然而隨著集成電路特征尺寸持續縮小，以及曝光機臺的分辨率極限的影響，在對高密度排列的掩膜版圖案進行曝光制程以進行圖案轉移時，便很容易產生光學臨近效應（OPE，Optical?Proximity?Effect）。例如直角轉角圓形化（Right-angled?corner?rounded）、直線末端緊縮（Line?End?Shortened）以及直線線寬增加/縮減（Line?Width?Increase/Decrease）等都是常見的光學臨近效應導致的掩膜版圖形轉化缺陷。

在現有光刻工藝中，為了克服上述問題，需要對光掩膜版圖形進行預先的光學臨近修正(Optical?Proximity?Correction，簡稱OPC)，來彌補由光學系統的有限分辨率造成的光學臨近效應。在傳統集成電路工藝中，對光掩膜版圖形進行光學臨近效應修正的流程圖如圖1所示，其步驟包括，提供原始設計圖形數據；OPC模型建立；使用OPC模型對原始設計圖形數據進行修正；得出最終的OPC圖形數據。

然而，隨著集成電路特征尺寸持續縮小，曝光圖形尺寸中包括較大尺寸圖形以及較小尺寸圖形，在對原始設計圖形數據進行OPC模型建立時，對較小尺寸圖形進行建模處理時需要用到更多的內核復雜模型，隨著尺寸圖形越小，需要的內核復雜模型就越多，OPC修正計算時間也就越長。

當OPC運算需要更多時間時，也就影響了項目流片(tape-out)的周期時間。那么如何提高OPC資源合理的運用，減少OPC運算的時間，便成為本領域技術人員亟需解決的技術問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種光學臨近效應修正方法，減少光學臨近效應修正模型建立的時間。

為了實現上述目的，本發明提出一種光學臨近效應修正方法，包括步驟：

提供原始設計圖形數據；

將所述原始設計圖形數據分為第一類尺寸圖形和第二類尺寸圖形，所述第一類尺寸圖形的尺寸大于所述第二類尺寸圖形的尺寸；

使用第一方法對所述第一類尺寸圖形進行OPC建模處理，得到第一類尺寸圖形OPC模型；

使用第二方法對所述第二類尺寸圖形進行OPC建模處理，得到第二類尺寸圖形OPC模型；

將所述第一類尺寸圖形OPC模型和第二類尺寸圖形OPC模型進行整合，得到混合仿真OPC模型。

進一步的，所述第一方法為使用內核簡單矩陣對所述第一類尺寸圖形進行OPC建模處理。

進一步的，所述內核簡單矩陣的個數小于等于10個。

進一步的，所述第二方法為使用內核復雜矩陣對所述第二類尺寸圖形進行OPC建模處理。

進一步的，所述內核復雜矩陣的個數大于等于15個。

進一步的，所述第一類尺寸圖形的尺寸大于等于300nm。

進一步的，所述第二類尺寸圖形的尺寸小于300nm。

進一步的，在將所述第一類尺寸圖形OPC模型和第二類尺寸圖形OPC模型進行整合，得到混合仿真OPC模型之后，對原始設計圖形數據進行基于混合仿真模型OPC修正處理。

與現有技術相比，本發明的有益效果主要體現在：將原始設計圖形數據進行分類，第一類尺寸圖形的尺寸較大，第二類尺寸圖形的尺寸較小，采用不同方法分別對第一類尺寸圖形以及第二類尺寸圖形進行處理，從而能夠縮短光學臨近效應修正的時間，增強了光學臨近效應修正軟件和硬件資源的靈活運用性。

附圖說明

圖1為現有技術中光學臨近效應修正方法的流程圖；

圖2為本發明一實施例中光學臨近效應修正方法的流程圖。

具體實施方式

以下結合附圖和具體實施例對本發明提出的光學臨近效應修正方法作進一步詳細說明。根據下面說明和權利要求書，本發明的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。

請參考圖2，一種光學臨近效應修正方法，包括步驟：

提供原始設計圖形數據；

所述原始設計圖形數據則是根據半導體制造工藝要求設計出的版圖數據；進行生產半導體時則是根據所述原始設計圖形來相應的生產出半導體晶圓。