[發明專利]晶片封裝體及其形成方法

無效

• 申請號: 201310229025.4
• 申請日: 2013-06-08
• 公開（公告）號: CN103489846A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 何彥仕;溫英男;劉滄宇
• 申請（專利權）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60;H01L27/146
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

技術領域

本發明有關于晶片封裝體，且特別是有關于以晶圓級封裝制程所制得的晶片封裝體。

背景技術

晶片封裝制程是形成電子產品過程中的一重要步驟。晶片封裝體除了將晶片保護于其中，使免受外界環境污染外，還提供晶片內部電子元件與外界的電性連接通路。

由于目前的晶片封裝制程仍有制程過于繁雜的問題，業界亟需簡化的晶片封裝技術。

發明內容

本發明一實施例提供一種晶片封裝體，包括：一半導體基底，具有一第一表面及一第二表面；一元件區，設置于該半導體基底之中；一介電層，設置于該半導體基底的該第一表面上；一導電墊結構，設置于該介電層之中，且電性連接該元件區；一承載基底，設置于該介電層之上；以及一導電結構，設置于該承載基底的一下表面上，且電性接觸該導電墊結構。

本發明一實施例提供一種晶片封裝體，包括：一半導體基底，具有一第一表面及一第二表面；一元件區，設置于該半導體基底之中；一介電層，設置于該半導體基底的該第一表面上；一導電墊結構，設置于該介電層之中，且電性連接該元件區，其中該介電層的一下表面為平坦的表面，且完全覆蓋該導電墊結構；以及一導電結構，設置于該半導體基底的該第二表面之上，且電性接觸該導電墊結構。

本發明一實施例提供一種晶片封裝體的形成方法，包括：提供一半導體基底，該半導體基底具有一第一表面及一第二表面，其中一元件區形成于該半導體基底之中；于該半導體基底的該第一表面上設置一介電層及一導電墊結構，其中該導電墊結構位于該介電層之中，且完全被該介電層所覆蓋；于該半導體基底的該第二表面上形成一絕緣層；以及于該半導體基底的該第二表面上形成一導電結構，其中該導電結構電性接觸該導電墊結構，其中該導電結構與該半導體基底之間隔有該絕緣層。

本發明一實施例提供一種晶片封裝體的形成方法，包括：提供一半導體基底，該半導體基底具有一第一表面及一第二表面，其中一元件區形成于該半導體基底之中；于該半導體基底的該第一表面上設置一介電層及一導電墊結構，其中該導電墊結構位于該介電層之中，且完全被該介電層所覆蓋；于該介電層之上，接合一承載基底；以及于該承載基底的一下表面形成一導電結構，其中該導電結構電性接觸該導電墊結構。

本發明可有效縮減圖案化制程的數目，并可降低光學構件的制程難度，可節省制程成本與時間，提升晶片封裝體的可靠度。

附圖說明

圖1A顯示本發明一實施例的晶片封裝體的剖面圖。

圖1B顯示本發明一實施例的晶片封裝體的剖面圖。

圖2A-2D顯示根據本發明一實施例的晶片封裝體的制程剖面圖。

圖3A-3E顯示根據本發明一實施例的晶片封裝體的制程剖面圖。

附圖中的符號簡單說明如下：

100、200、300：半導體基底；

100a、100b、200a、200b、300a、300b：表面；

102、202、302：元件區；

104、204、304：介電層；

104a：開口；

106、206、306：導電墊結構；

108：承載基底；

110：絕緣層；

112：導電層；

207、307：光學構件；

208：透明基板；

209、309：間隔層；

210：孔洞；

212：絕緣層；

214：導電層；

216：保護層；

218：導電凸塊；

308：承載基底；

310：透明基板；

312：孔洞；

314：絕緣層；

316：導電層；

318：保護層；

320：導電凸塊；

SC：切割道。

具體實施方式

以下將詳細說明本發明實施例的制作與使用方式。然應注意的是，本發明提供許多可供應用的發明概念，其可以多種特定形式實施。文中所舉例討論的特定實施例僅為制造與使用本發明的特定方式，非用以限制本發明的范圍。此外，在不同實施例中可能使用重復的標號或標示。這些重復僅為了簡單清楚地敘述本發明，不代表所討論的不同實施例及/或結構之間必然具有任何關連性。再者，當述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時，包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一或更多其他材料層的情形。