[發(fā)明專利]發(fā)光元件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310226001.3
• 申請(qǐng)日: 2013-06-07
• 公開（公告）號(hào): CN104241491B
• 公開（公告）日: 2018-12-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 魏志豪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/44
• 分類號(hào): H01L33/44;H01L33/36;H01L33/62
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發(fā)明公開一種制造發(fā)光元件的方法，其包含：提供一載體；施行一涂布步驟，包含涂布一膜層于此載體上；施行一烘烤步驟，包含于第一溫度下烘烤此膜層；及重復(fù)一預(yù)定次數(shù)的涂布步驟和烘烤步驟以形成一厚膜層。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一發(fā)光元件的制造方法，特別是涉及一具有一厚膜層的發(fā)光元件制造方法。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管(light-emitting diode,LED)的發(fā)光原理是利用電子在n型半導(dǎo)體與p型半導(dǎo)體間移動(dòng)的能量差，以光的形式將能量釋放，這樣的發(fā)光原理有別于白熾燈發(fā)熱的發(fā)光原理，因此發(fā)光二極管被稱為冷光源。此外，發(fā)光二極管具有高耐久性、壽命長(zhǎng)、輕巧、耗電量低等優(yōu)點(diǎn)，因此現(xiàn)今的照明市場(chǎng)對(duì)于發(fā)光二極管寄予厚望，將其視為新一代的照明工具，已逐漸取代傳統(tǒng)光源，并且應(yīng)用于各種領(lǐng)域，如交通號(hào)志、背光模塊、路燈照明、醫(yī)療設(shè)備等。

圖1a是現(xiàn)有的發(fā)光元件結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1a所示，現(xiàn)有的發(fā)光元件100，包含有一透明基板11、一位于透明基板11上的半導(dǎo)體疊層12，以及至少一電極14位于上述半導(dǎo)體疊層12上，其中上述的半導(dǎo)體疊層12由上而下至少包含一第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層120、一活性層122，以及一第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層124。

此外，上述的發(fā)光元件100還可以進(jìn)一步地與其他元件組合連接以形成一發(fā)光裝置(light-emitting apparatus)。圖1b為現(xiàn)有的發(fā)光裝置結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1b所示，一發(fā)光裝置200包含一具有至少一電路150的次載體(sub-mount)21；至少一焊料(solder)22位于上述次載體21上，通過此焊料22將上述發(fā)光元件100粘結(jié)固定于次載體21上并使發(fā)光元件100的基板11與次載體21上的電路150形成電連接；以及，一電連接結(jié)構(gòu)24，以電連接發(fā)光元件100的電極14與次載體21上的電路150；其中，上述的次載體21可以是導(dǎo)線架(leadframe)或大尺寸鑲嵌基底(mounting substrate)，以方便發(fā)光裝置200的電路規(guī)劃并提高其散熱效果。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述問題，本發(fā)明提供一發(fā)光元件的制造方法，其步驟包含：提供一載體；施行一涂布步驟，包含涂布一膜層于載體上；施行一烘烤步驟，包含于一第一溫度下烘烤此膜層；及重復(fù)一預(yù)定次數(shù)的涂布步驟及烘烤步驟以形成一厚膜層。

本發(fā)明提供一發(fā)光元件的制造方法，其步驟還包含：提供一第二基板；形成一發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)于第二基板上；形成一接合層于厚膜層上，且通過此接合層將厚膜層與發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)接合；及移除第二基板。

附圖說明

圖1a為現(xiàn)有的發(fā)光元件結(jié)構(gòu)示意圖，圖1b為現(xiàn)有的發(fā)光裝置結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2a至圖2g為本發(fā)明第一實(shí)施例制造流程結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3a至圖3j為本發(fā)明第二實(shí)施例制造流程結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明第三實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。

符號(hào)說明

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的敘述更加詳盡與完備，請(qǐng)參照下列描述并配合圖2a-圖4的附圖。

圖2a至圖2g所示為本發(fā)明第一實(shí)施例制造流程結(jié)構(gòu)示意圖，是包含：提供一第一基板201，如圖2a所示；通過有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積法(metal-organic chemical vapordeposition；MOCVD)于第一基板201上形成一發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)205，其中此發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)205由下而上包含一第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層202，一活性層203及一第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層204，如圖2b所示。于本實(shí)施例中，一載體210包含第一基板201和發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)205。