[發明專利]半導體發光元件和發光裝置

有效

• 申請號: 201310225995.7
• 申請日: 2013-06-07
• 公開（公告）號: CN103489969A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 寺西俊輔;佐藤壽朗
• 申請（專利權）人: 豐田合成株式會社
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/06;H01L33/32
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 段承恩;楊光軍

1.一種半導體發光元件，其特征在于，包含：

n型半導體層，其由含有n型雜質的III族氮化物半導體構成；

發光層，其層疊在所述n型半導體層上，并由III族氮化物半導體構成，并且通過通電而發光；和

p型半導體層，其層疊在所述發光層上，并由含有p型雜質的III族氮化物半導體構成，

所述發光層具備：

由III族氮化物半導體構成的4層以上的阱層；和

由帶隙比所述阱層大的III族氮化物半導體構成，將4層以上的該阱層的各層從兩側夾持，并且在與所述n型半導體層的邊界部與該n型半導體層連接，且在與所述p型半導體層的邊界部與該p型半導體層連接的5層以上的勢壘層，

4層以上的所述阱層具有：

從接近所述n型半導體層的一側順序設置多個，各自設定為第1厚度，由此輸出共同的波長的光的多個n側阱層；和

在從接近所述p型半導體層的一側到所述n側阱層之間設置多個，各自設定為比所述第1厚度大的厚度并且具有與所述n側阱層不同的組成，由此各自輸出所述共同的波長的光的多個p側阱層。

2.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，

4層以上的所述阱層之中，所述p側阱層是兩層。

3.根據權利要求2所述的半導體發光元件，其特征在于，

兩層的所述p側阱層，各自設定為比所述第1厚度大的第2厚度，并且具有共同的組成。

4.根據權利要求1至3的任一項所述的半導體發光元件，其特征在于，

5層以上的所述勢壘層之中，最接近所述p型半導體層的p側勢壘層的厚度比其他的勢壘層的厚度大。

5.根據權利要求1至4的任一項所述的半導體發光元件，其特征在于，

5層以上的所述勢壘層分別由GaN構成，并且4層以上的所述阱層分別由GaInN構成，

所述阱層的所述p側阱層中的In的濃度，比該阱層的所述n側阱層中的In的濃度低。

6.一種發光裝置，其特征在于，具備：

形成有第1布線和第2布線的基部；和

半導體發光元件，其安裝在該基部上，且與該第1布線以及該第2布線電連接，通過經由該第1布線以及該第2布線的通電而發光，

所述半導體發光元件包含：

n型半導體層，其由含有n型雜質的III族氮化物半導體構成；

發光層，其層疊在所述n型半導體層上，并由III族氮化物半導體構成，并且通過通電而發光；

p型半導體層，其層疊在所述發光層上，并由含有p型雜質的III族氮化物半導體構成；

p側電極，其用于將所述p型半導體層與所述第1布線電連接；和

n側電極，其用于將所述n型半導體層與所述第2布線電連接，

所述發光層具備：

由III族氮化物半導體構成的4層以上的阱層；和

由帶隙比所述阱層大的III族氮化物半導體構成，將4層以上的該阱層的各層從兩側夾持，并且在與所述n型半導體層的邊界部與該n型半導體層連接，且在與所述p型半導體層的邊界部與該p型半導體層連接的5層以上的勢壘層，

4層以上的所述阱層具有：

從接近所述n型半導體層的一側順序設置多個，各自設定為第1厚度，由此輸出共同的波長的光的多個n側阱層；和

在從接近所述p型半導體層的一側到所述n側阱層之間設置多個，各自設定為比所述第1厚度大的厚度并且具有與所述n側阱層不同的組成，由此各自輸出所述共同的波長的光的多個p側阱層。