[發明專利]以烷基酰胺為溶劑制備油溶性碲化物半導體納米晶的方法有效
| 申請號： | 201310225922.8 | 申請日： | 2013-06-07 |
| 公開（公告）號： | CN103274371A | 公開（公告）日： | 2013-09-04 |
| 發明（設計）人： | 張皓;姚棟;劉軼;楊柏 | 申請（專利權）人： | 吉林大學 |
| 主分類號： | C01B19/04 | 分類號： | C01B19/04;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 長春吉大專利代理有限責任公司 22201 | 代理人： | 張景林;王恩遠 |
| 地址： | 130012 吉*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 烷基 溶劑 制備 油溶性碲化物 半導體 納米 方法 | ||
1.以烷基酰胺為溶劑制備油溶性碲化物半導體納米晶的方法，其步驟如下：
a)在氮氣保護下，將碲粉和硼氫化鈉加入到烷基酰胺中，60～80℃加熱攪拌使碲粉溶解，降至室溫后得到碲前驅體溶液；其中碲粉與硼氫化鈉的摩爾比例為1:10～1:1，碲粉在烷基酰胺中的濃度為0.05～0.25mol/L；
b)在氮氣保護下，將金屬源加入到脂肪族胺溶液中，60～80℃加熱攪拌使金屬源溶解，然后升溫到90～200℃，將前面步驟制備的碲前驅體溶液加入，碲粉和金屬源的摩爾比為1:4～4:1，繼續反應0～30分鐘，即可得到油溶性碲化物半導體納米晶。
2.如權利要求1所述的以烷基酰胺為溶劑制備油溶性碲化物半導體納米晶的方法，其特征在于：金屬源為鎘源、鉛源、汞源、銀源中的一種或幾種。
3.如權利要求2所述的以烷基酰胺為溶劑制備油溶性碲化物半導體納米晶的方法，其特征在于：鎘源是Cd(Ac)2·2H2O、CdCl2·2H2O或CdO；鉛源是Pb(Ac)2·2H2O、PbCl2或PbO；汞源是Hg(Ac)2·2H2O、HgCl2或HgO；銀源是Ag(Ac)、AgNO3或Ag(acac)。
4.如權利要求1所述的以烷基酰胺為溶劑制備油溶性碲化物半導體納米晶的方法，其特征在于：烷基酰胺是N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺或N,N-二乙基丙酰胺。
5.如權利要求1所述的以烷基酰胺為溶劑制備油溶性碲化物半導體納米晶的方法，其特征在于：脂肪族胺是油胺、十六烷基胺或十八烷基胺。
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