[發(fā)明專利]一種低輻射Low-E玻璃的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310225915.8 | 申請日： | 2013-06-07 |
| 公開（公告）號： | CN103265182A | 公開（公告）日： | 2013-08-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 林嘉佑 | 申請（專利權(quán)）人： | 林嘉佑 |
| 主分類號： | C03C17/34 | 分類號： | C03C17/34 |
| 代理公司： | 北京連和連知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11278 | 代理人： | 王光輝 |
| 地址： | 中國臺灣太倉港*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 輻射 low 玻璃 制造 方法 | ||
1.一種低輻射Low-E玻璃的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
步驟S1：提供玻璃基底；
步驟S2：在所述玻璃基底上形成至少第一電介質(zhì)層；
步驟S3：在所述第一電介質(zhì)層上沉積所述紅外反射層，具體地，通過磁控濺射法在所述第一電介質(zhì)層上沉積所述紅外反射種子層，在所述紅外反射種子層上通過離子束輔助沉積法沉積紅外反射附加層；
步驟S4：在所述玻璃基底之紅外反射層上沉積第二電介質(zhì)層。
2.?如權(quán)利要求1所述的Low-E玻璃制造方法，其特征在于，所述步驟S3進(jìn)一步包括：從所述離子束源發(fā)出的離子束轟擊從所述磁控濺射裝置之靶材上濺射出的鍍膜粒子，以在所述紅外反射層之紅外反射種子層上連續(xù)沉積所述紅外反射附加層。
3.?如權(quán)利要求2所述的Low-E玻璃制造方法，其特征在于，所述靶材優(yōu)選為兩支，其中之一用于磁控濺射形成所述紅外反射層之紅外反射種子層，另一支用于離子束輔助沉積形成所述紅外反射層之紅外反射附加層。
4.?如權(quán)利要求1所述的Low-E玻璃制造方法，其特征在于，在形成所述紅外反射層之紅外反射附加層的離子束輔助沉積過程中，所述離子束的離子能量為150～700eV。
5.?如權(quán)利要求4所述的Low-E玻璃制造方法，其特征在于，所述離子束源之陰、陽極的電壓為300～1400V。
6.?如權(quán)利要求1所述的Low-E玻璃制造方法，其特征在于，所述離子束輔助沉積方式形成的所述紅外反射層之紅外反射附加層的惰性氣體含量高于所述磁控濺射方式形成的所述紅外反射層之紅外反射種子層的惰性氣體含量。
7.?如權(quán)利要求6所述的Low-E玻璃制造方法，其特征在于，所述離子束輔助沉積方式形成的所述紅外反射層之紅外反射附加層的惰性氣體含量高于所述磁控濺射方式形成的所述紅外反射層之紅外反射種子層的惰性氣體含量20%。
8.?如權(quán)利要求6所述的Low-E玻璃制造方法，其特征在于，所述離子束輔助沉積方式形成的所述紅外反射層之紅外反射附加層的惰性氣體含量高于所述磁控濺射方式形成的所述紅外反射層之紅外反射種子層的惰性氣體含量30%。
9.?如權(quán)利要求6～8任一權(quán)利要求所述的Low-E玻璃制造方法，其特征在于，所述惰性氣體為氬氣Ar、氪氣Kr、氙氣Xe的其中之一或者其混合物。
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