[發(fā)明專利]半導(dǎo)體制造的微影方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310225879.5
• 申請(qǐng)日: 2006-08-11
• 公開（公告）號(hào): CN103345120A
• 公開（公告）日: 2013-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳桂順;林進(jìn)祥;魯定中
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種半導(dǎo)體制造的微影方法，其特征在于，其包括以下步驟：

提供一圖案，該圖案包含一主動(dòng)圖案以及一虛設(shè)圖案；

進(jìn)行一高精密微影制程，以提供至少一第一曝光制程于一基材層上，其中該第一曝光制程在該基材層上形成該圖案；以及

進(jìn)行一低精密微影制程，以提供至少一第二曝光制程于該基材層上，其中該第二曝光制程移除該虛設(shè)圖案，借以在該基材層上形成該主動(dòng)圖案。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微影方法，其特征在于，在進(jìn)行所述低精密微影制程之前，進(jìn)行所述高精密微影制程。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微影方法，其特征在于，在進(jìn)行所述低精密微影制程之后，進(jìn)行所述高精密微影制程。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微影方法，其特征在于，所述的高精密微影制程是濕浸式微影制程，而該低精密微影制程是干式微影制程。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微影方法，其特征在于，所述主動(dòng)圖案是一接觸孔，且其中該虛設(shè)圖案是多數(shù)個(gè)虛設(shè)結(jié)構(gòu)，用以提供一光罩上一高密度陣列特征結(jié)構(gòu)，該光罩用以進(jìn)行該第一曝光制程，其中該高密度陣列特征結(jié)構(gòu)改善該第一曝光制程的一聚焦深度。

6.一種半導(dǎo)體制造的微影方法，其特征在于，其包括：

提供一第一光阻層給一晶圓；

提供一第一罩幕給該晶圓；

以濕浸式微影技術(shù)執(zhí)行一第一曝光制程于該晶圓上，其中該第一曝光制程是利用該第一光阻層與該第一罩幕，該第一曝光制程形成一圖案，該圖案包括一主動(dòng)圖案；以及

以干式微影技術(shù)執(zhí)行一第二曝光制程于該晶圓上，其中該第二曝光制程是利用該第一光阻層，該第二曝光制程改變?cè)撝鲃?dòng)圖案的一邊緣。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體制造的微影方法，其特征在于，在進(jìn)行該第一曝光制程之前，進(jìn)行該第二曝光制程。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體制造的微影方法，其特征在于，所述的濕浸式微影技術(shù)的一數(shù)值孔隙大于0.82。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體制造的微影方法，其特征在于，所述的濕浸式微影技術(shù)的一流體包括具有一PH值大于7的一流體。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體制造的微影方法，其特征在于，所述的濕浸式微影技術(shù)包括利用具有一波長不大于250nm的一電磁源。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體制造的微影方法，其特征在于，所述的第二曝光制程利用到一第二罩幕。

12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體制造的微影方法，其特征在于，所述的第二曝光制程沒有利用到一罩幕。

13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體制造的微影方法，其特征在于，所述的第二曝光制程利用到一光束源。

14.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體制造的微影方法，其特征在于，所述的第二曝光制程亦利用到一第二光阻層。

15.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體制造的微影方法，其特征在于，所述的第二曝光制程是使用相位移罩幕用于一開口印刷制程。

16.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體制造的微影方法，其特征在于，所述的第一與第二曝光制程之后，提供單一次的蝕刻制程于該晶圓上。

17.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體制造的微影方法，其特征在于，在該第一與第二曝光制程制程之后，分別提供第一與第二蝕刻制程于該晶圓上。

18.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體制造的微影方法，其特征在于，所述的改變?cè)撝鲃?dòng)圖案的該邊緣包含使該主動(dòng)圖案的一角變圓滑。

19.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體制造的微影方法，其特征在于，所述的改變?cè)撝鲃?dòng)圖案的該邊緣包含為該主動(dòng)圖案提供一直線邊緣。

20.一種半導(dǎo)體制造的雙重曝光微影方法，其特征在于，其包括：

提供一第一光阻層給一晶圓；

提供一第一罩幕給該晶圓，其中該第一罩幕包含一圖案，且該圖案包含一主動(dòng)圖案以及一虛設(shè)圖案；

以濕浸式微影技術(shù)執(zhí)行一第一曝光制程于該晶圓上，其中該第一曝光制程是利用該第一光阻層與該第一罩幕，以及其中用于該濕浸式微影技術(shù)的一光束波長不大于193nm，以及其中該濕浸式微影技術(shù)的一數(shù)值孔隙大于0.75；

對(duì)該第一光阻層執(zhí)行一第一顯影制程，以形成對(duì)應(yīng)于該主動(dòng)圖案的一第一光阻特征結(jié)構(gòu)，以及形成對(duì)應(yīng)于該虛設(shè)圖案的一第二光阻特征結(jié)構(gòu)；

以干式微影技術(shù)執(zhí)行一第二曝光制程于該晶圓上的該第一光阻層上，其中該第二曝光制程使用到一第二罩幕或不使用到罩幕；以及

對(duì)該第一光阻層執(zhí)行一第二顯影制程，其中該第二曝光制程及該第二顯影制程從該晶圓移除該第二光阻特征結(jié)構(gòu)。