[發明專利]一種低功耗快速啟動電路及電流源無效
| 申請號： | 201310225823.X | 申請日： | 2013-06-07 |
| 公開（公告）號： | CN103269216A | 公開（公告）日： | 2013-08-28 |
| 發明（設計）人： | 陳瑩梅;羅賢亮 | 申請（專利權）人： | 東南大學 |
| 主分類號： | H03K17/687 | 分類號： | H03K17/687;G05F1/56 |
| 代理公司： | 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 楊曉玲 |
| 地址： | 211189 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 功耗 快速 啟動 電路 電流 | ||
1.一種低功耗快速啟動電路，其特征在于：包括PMOS管M1、NMOS管M2、PMOS管M5、PMOS管M6和電流鏡單元，所述電流鏡單元包括NMOS管M3和NMOS管M4：
所述PMOS管M1的襯底、PMOS管M1的柵極和PMOS管M1的源極接直流電源VDD，所述PMOS管M1的漏極接入節點1；
所述NMOS管M2的襯底、NMOS管M2的柵極和NMOS管M2的源極接地GND，所述NMOS管M2的漏極接入節點1；
所述NMOS管M3的柵極接入節點3，所述NMOS管M3的源極接地GND，所述NMOS管M3的漏極作為該啟動電路的第一輸出端；
所述MOS管M4的柵極接入節點3，所述NMOS管M4的源極接地GND，所述MOS管M4的漏極接入節點4；
所述PMOS管M5的柵極作為該啟動電路的第二輸出端，所述PMOS管M5的源極接直流電源VDD，所述PMOS管M5的漏極接入節點2；
所述PMOS管M6的柵極接入節點2，所述PMOS管M6的源極接直流電源VDD，PMOS管M6的漏極接入節點4；
所述節點1和節點2相接，所述節點3和節點4相接。
2.一種電流源，其特征在于：包括權利要求1所述的低功耗快速啟動電路和電流源單元，所述電流源單元包括PMOS管M7、PMOS管M8、NPN三極管Q9、NPN三極管Q10、電阻R1和PMOS管M11：
所述PMOS管M7的柵極接入節點5，所述PMOS管M7的源極接直流電源VDD，所述PMOS管M7的漏極接入節點7；
所述PMOS管M8的柵極接入節點5，所述PMOS管M8的源極接直流電源VDD，所述PMOS管M8的漏極接入節點8；
所述NPN三極管Q9的基極接入節點6，所述NPN三極管Q9的發射極接地GND，所述NPN三極管Q9的集電極接入節點7；
所述NPN三極管Q10的基極接入節點6，所述NPN三極管Q10的發射極通過電阻R1接地GND，所述NPN三極管Q10的集電極接入節點9；
所述PMOS管M11的柵極接入節點5，所述PMOS管M11的源極接直流電源VDD，所述PMOS管M11的漏極作為該電流源的輸出端；
所述節點5和節點8相接，所述節點6和節點7相接；
所述啟動電路的第一輸出端接入節點9，所述啟動電路的第二輸出端接入節點5。
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