[發(fā)明專(zhuān)利]一種高性能Cu2SnSe3熱電材料及其快速制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310225419.2 | 申請(qǐng)日: | 2013-06-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103909262A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-07-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 唐新峰;程鑫;張清杰 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 武漢理工大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | B22F3/105 | 分類(lèi)號(hào): | B22F3/105;C01B19/00;H01L35/34;H01L35/16 |
| 代理公司: | 湖北武漢永嘉專(zhuān)利代理有限公司 42102 | 代理人: | 唐萬(wàn)榮 |
| 地址: | 430070 湖*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 性能 cu sub snse 熱電 材料 及其 快速 制備 方法 | ||
1.一種高性能Cu2SnSe3熱電材料的快速制備方法,其特征在于它包括以下步驟:
1)按化學(xué)計(jì)量比2.02:3.03:1準(zhǔn)備Cu粉、Se粉和Sn粉作為原料,然后將Cu粉、Se粉和Sn粉混合均勻得到反應(yīng)物;
2)將步驟1)所述反應(yīng)物引發(fā)自蔓延反應(yīng),反應(yīng)完成后自然冷卻,得到Cu2SnSe3產(chǎn)物;
3)將步驟2)中得到的Cu2SnSe3產(chǎn)物研磨成細(xì)粉,然后進(jìn)行等離子活化燒結(jié),得到高性能Cu2SnSe3熱電材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高性能Cu2SnSe3熱電材料的快速制備方法,其特征在于所述步驟1)中Cu粉、Se粉、Sn粉的質(zhì)量純度均大于等于99.9%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高性能Cu2SnSe3熱電材料的快速制備方法,其特征在于所述步驟1)的反應(yīng)物為粉體或者壓制成塊體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高性能Cu2SnSe3熱電材料的快速制備方法,其特征在于所述步驟2)采用恒溫起爆的方式引發(fā)自蔓延反應(yīng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種高性能Cu2SnSe3熱電材料的快速制備方法,其特征在于所述恒溫起爆的反應(yīng)溫度為大于等于300℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高性能Cu2SnSe3熱電材料的快速制備方法,其特征在于所述步驟2)中自蔓延反應(yīng)中采用空氣氣氛或者真空條件。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高性能Cu2SnSe3熱電材料的快速制備方法,其特征在于所述步驟3)中等離子活化燒結(jié)的工藝為:將步驟2)中得到的Cu2SnSe3產(chǎn)物粉末裝入石墨模具中壓實(shí),然后在小于10Pa的真空條件下進(jìn)行燒結(jié),升溫速率為50-100℃/min,燒結(jié)溫度為500-550℃,燒結(jié)壓力為30-35MPa,燒結(jié)致密化時(shí)間5~7min。
8.如權(quán)利要求1所述的快速制備方法得到的高性能Cu2SnSe3熱電材料。
9.如權(quán)利要求8所述的高性能Cu2SnSe3熱電材料,其特征在于所述高性能Cu2SnSe3熱電材料在500℃無(wú)量綱熱電優(yōu)值ZT值達(dá)到0.8。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于武漢理工大學(xué),未經(jīng)武漢理工大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310225419.2/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 上一篇:鎖芯防撬蓋
- 下一篇:一種萬(wàn)能鎖組件
- 一種Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>復(fù)相熱障涂層材料
- 無(wú)鉛[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>納米管及其制備方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一種Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 復(fù)合膜及其制備方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 熒光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一種(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制備方法
- 熒光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>復(fù)合材料的制備方法
- 一種用于相變存儲(chǔ)器的硅-硒化錫納米多層復(fù)合相變薄膜材料
- SnSe基熱電材料及其制備方法
- 一種適用于Cu2SnSe3基熱電元件的合金電極及該熱電元件的制備工藝
- 一種SnSe/碳纖維布柔性負(fù)極材料及其制備方法
- 一種N型SnSe單晶及其制備方法
- 一種N型SnSe熱電材料及其制備方法
- 一種p-n異質(zhì)結(jié)構(gòu)SnSe/SnSe2納米復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用
- 一種具有高載流子濃度的SnSe晶體及其生長(zhǎng)方法和應(yīng)用
- SnSe<base:Sub>2
- 一種魚(yú)鱗狀中空SnSe納米管自供能紅外探測(cè)器及其制備方法





