[發(fā)明專利]偏振耦合裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310225170.5 | 申請日： | 2013-06-07 |
| 公開（公告）號： | CN103323957A | 公開（公告）日： | 2013-09-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 林學(xué)春;王麗榮;王寶華;郭渭榮;王祥鵬;陳凱 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 |
| 主分類號： | G02B27/28 | 分類號： | G02B27/28;G02B27/09 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 偏振 耦合 裝置 | ||
1.一種偏振耦合裝置，其特征在于，包括：
直角棱鏡，其第一直角面朝向入射激光的方向；
斜方棱鏡，其第一長邊面與所述直角棱鏡斜邊面的長度相等，兩者至少其中之一鍍偏振分光膜層后緊密貼合，形成偏振分光界面；其第二長邊面鍍激光全反膜；其第一短邊面朝向入射激光方向，其第二短邊面作為激光出射面；
1/2波片，在所述偏振分光膜層為S偏振光高透P偏振光高反膜時，該1/2波片位于直角棱鏡的所述第一直角面的光路前端；在所述偏振分光膜層為P偏振光高透S偏振光高反膜時，該1/2波片位于斜方棱鏡的所述第一短邊面的光路前端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏振耦合裝置，其特征在于，斜方棱鏡的所述第一長邊面和直角棱鏡的所述斜邊面均鍍有相應(yīng)的偏振分光膜層，兩偏振分光膜層之間采用分子鍵合粘結(jié)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏振耦合裝置，其特征在于，所述分子鍵合粘結(jié)為：兩偏振分光膜層的待鍵合面均經(jīng)過超精細(xì)拋光，分別鍍SiO2薄膜，而后把兩個待鍵合面緊靠放置在高溫環(huán)境下，烤制5～7天。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的偏振耦合裝置，其特征在于，所述高溫環(huán)境的溫度T滿足：500℃≤T≤1000℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的偏振耦合裝置，其特征在于，所述1/2波片與直角棱鏡的所述第一直角面或斜方棱鏡的所述第一短邊面緊密貼合。
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