[發明專利]用于保護低壓通信接口端子并對其進行高壓隔離的方法和設備

有效

• 申請號: 201310224819.1
• 申請日: 2013-06-07
• 公開（公告）號: CN103489861A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: J·A·薩塞多
• 申請（專利權）人: 美國亞德諾半導體公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 劉倜

1.一種設備，包括：

第一導電類型(312)的襯底(202)；

設置在與所述第一導電類型相反的第二導電類型的襯底(202)上的第一隔離區(204)；

設置在所述第一導電類型的第一隔離區(204)上的第二隔離區(206)；

設置在第一導電類型的襯底(202)上的外延層(208)；

設置在所述外延層(208)上的晶閘管區，所述晶閘管區包括晶閘管柵極區(220D)、晶閘管陽極區(221/216C)、晶閘管陰極區(224D/214C)和晶閘管陰極-柵極電阻控制區(206-210C-214B-220C)；

所述晶閘管陽極區(221)耦合至輸入/輸出電壓端子(106)，

所述晶閘管陰極區和所述陰極-柵極電阻控制區耦合至第一電壓源端子(110)，

第一去耦組件(812)區(210C、214B、220C、212C、216B、224C)，其包括至少部分地與第一去耦組件陰極區(212C、216B、224C)鄰接的第一去耦組件陽極區(210C、214B、220C)，其中，所述第一去耦組件陽極區(210C、214B、220C)耦合至所述第一電壓源端子(110)，且其中，所述第一去耦組件陰極區(212C、216B、224C)耦合至所述輸入/輸出電壓端子(106)；和

第二去耦組件(816)區，其包括至少部分地與第二去耦組件陰極區(212B、216A、224B)鄰接的第二去耦組件陽極區(210C、214B、220C)，其中，所述第二去耦組件陽極區(210C、214B、220C)耦合至所述第一電壓源端子(110)，且其中，所述第二去耦組件陰極區(212B、216A、224B)耦合至第二電壓源端子(104)。

2.根據權利要求1所述的設備，其中，所述晶閘管陽極區包括晶閘管陽極有源區(221)，且其中，所述晶閘管區還包括多個設置在晶閘管陽極有源區(221)和所述晶閘管陰極區(214C、224D)之間的阻擋區(228A、228B、224E)。

3.根據權利要求1所述的設備，其還包括：

第三隔離去耦組件(814)區，其包括至少部分地沿第三去耦組件陰極區(212B、216A、224B)的第一表面鄰接的第三去耦組件陽極區(210B、214A、220B)，其中，所述第三去耦組件陽極區(210B、214A、220B)耦合至所述輸入/輸出電壓端子(106)，且其中，所述第三去耦組件陰極區(212B、216A、224B)耦合至所述第三電壓源端子(104)。

4.根據權利要求3所述的設備，其還包括：

第四去耦組件(818)區，其包括第四去耦組件陽極區(210A、220A)和第四去耦組件陰極區(212A、224A)，其中，所述第四去耦組件陽極區(210A、220A)耦合至第四電壓源端子(108)，且其中，所述第四去耦組件陰極區(212A、224A)至少部分地與所述第三去耦組件陽極區(210B、214A、220B)的第二表面鄰接，所述第四去耦陰極區耦合至所述第三電壓源端子(104)。

5.根據權利要求1所述的設備，其中，所述第一導電類型包括p-型摻雜濃度，且其中，所述第二導電類型包括n-型摻雜濃度。

6.根據權利要求1所述的設備，其中，所述第一隔離區(204)和所述第二隔離區(206)被配置為提供所述襯底和所述保護裝置的有源區之間的隔離。

7.根據權利要求1所述的設備，其中，所述第一去耦組件包括第一二極管(812)，所述第二去耦組件包括第二二極管(816)。

8.根據權利要求1所述的設備，其還包括設置在所述襯底(202)上的多個第一阱區(210A-210C、212A-212C)和設置在所述多個第一阱區上的多個第二阱區(214A-214C、216A-216C)，所述多個第一阱區(210A-210C、212A-212C)具有第一摻雜濃度，所述多個第二阱區(214A-214C、216A-216C)具有高于所述第一摻雜濃度的第二摻雜濃度。

9.根據權利要求8所述的設備，其還包括設置在所述多個第二阱區(214A-214C、216A-216C)上的多個有源區(220A-220D、221、224A-223E)，所述多個有源區(220A-220D、221、224A-223E)具有高于所述第二摻雜濃度的第三摻雜濃度。