[發(fā)明專利]改善GaN基外延片內(nèi)波長集中度的外延結(jié)構(gòu)及生長方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310224408.2 | 申請(qǐng)日： | 2013-06-07 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103337571A | 公開（公告）日： | 2013-10-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 楊奎;牛勇;吳禮清;李剛;郭麗彬;蔣利民 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 合肥彩虹藍(lán)光科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/12 | 分類號(hào)： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 230012 *** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 改善 gan 外延 波長 集中 結(jié)構(gòu) 生長 方法 | ||
1.一種改善GaN基外延片內(nèi)波長集中度的外延結(jié)構(gòu)，該外延結(jié)構(gòu)從下向上的順序依次為：襯底、低溫GaN緩沖層、GaN非摻雜層、ALxGa1-xN插入層、N型GaN層、多量子阱結(jié)構(gòu)MQW、多量子阱有源層、低溫P型GaN層、P型AlGaN層、高溫P型GaN層和P型接觸層；其特征在于，在所述GaN非摻雜層后插入一層ALxGa1-xN層，其中0.05<x<0.25。
2.一種如權(quán)利要求1所述的改善GaN基外延片內(nèi)波長集中度的外延結(jié)構(gòu)的生長方法，其特征在于，在所述GaN非摻雜層后插入一層ALxGa1-xN層的方法是：當(dāng)ALxGa1-xN層插入外延結(jié)構(gòu)以后，在生長GaN非摻雜層時(shí)，該GaN非摻雜層流量相對(duì)不插入ALxGa1-xN層的情況減少10%~30%；在插入ALxGa1-xN層以后生長N型GaN層時(shí)，該N型GaN層流量相對(duì)不插入所述ALxGa1-xN層的情況減少0~20%。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的改善GaN基外延片內(nèi)波長集中度的外延結(jié)構(gòu)的生長方法，其特征在于，所述ALxGa1-xN層的插入生長厚度保持在0-1μm之間。
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