[發明專利]自組裝納米金屬或半導體顆粒摻雜石墨烯微片的制備方法及其用途

有效

• 申請號: 201310224175.6
• 申請日: 2013-06-08
• 公開（公告）號: CN103318875A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發明（設計）人: 王皓;陳海力;郭冰;童靈
• 申請（專利權）人: 江南石墨烯研究院
• 主分類號: C01B31/04
• 分類號: C01B31/04
• 代理公司: 常州佰業騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231
• 代理人: 金輝

1.一種自組裝納米金屬或半導體顆粒摻雜石墨烯微片的制備方法，其特征在于：該方法包括將納米金屬或半導體顆粒受熱有序化重組和將基底氧化石墨烯受熱還原。

2.根據權利要求1所述的自組裝納米金屬或半導體顆粒摻雜石墨烯微片的制備方法，具體包括如下步驟：(1)制備鍍有金屬或半導體膜的氧化石墨烯紙；(2)對步驟(1)制備的鍍有金屬或半導體膜的氧化石墨烯紙采用激光器進行快速掃描加熱和圖案化處理；(3)測試成品。

3.根據權利要求2所述的自組裝納米金屬或半導體顆粒摻雜石墨烯微片的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)為將氧化石墨烯紙放入高真空蒸發鍍膜機內，抽取真空后通入電流來加熱底部放置的金屬絲或半導體源材料，調節電流值至金屬絲或半導體材料融化并向頂部放置的氧化石墨烯紙濺射；通過內置膜厚儀測得氧化石墨烯紙表面鍍膜厚度達到目標厚度時，關掉電源并取出樣品。

4.根據權利要求2所述的自組裝納米金屬或半導體顆粒摻雜石墨烯微片的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)為將鍍有金屬或半導體膜的氧化石墨烯紙朝外放入石英管內，抽真空并隨即通入高純氫氣；打開激光器，并讓激光聚焦在鍍膜表面，利用打標軟件進行快速掃描和圖案化處理。

5.根據權利要求2所述的自組裝納米金屬或半導體顆粒摻雜石墨烯微片的制備方法，其特征在于：所述步驟(3)為待觀察到激光打標后的圖案表面金屬或半導體膜已大部分脫落，裸露的氧化石墨烯也由黑色變為深灰色，取出成品，用拉曼光譜和顯微鏡進行觀測。

6.根據權利要求3所述的自組裝納米金屬或半導體顆粒摻雜石墨烯微片的制備方法，其特征在于：所述抽取真空為抽取真空至10^-4Pa，調節電流使得鍍膜的平均速率在1-2nm/s之間。

7.根據權利要求3所述的自組裝納米金屬或半導體顆粒摻雜石墨烯微片的制備方法，其特征在于：所述目標厚度為60納米。

8.根據權利要求4所述的自組裝納米金屬或半導體顆粒摻雜石墨烯微片的制備方法，其特征在于：所述通入高純氫氣為通入高純氫氣，直到石英管內相對壓強降到-0.05pa。

9.根據權利要求1～8所述的自組裝納米金屬或半導體顆粒摻雜石墨烯微片的制備方法，其特征在于：所述金屬為金或銀或鉑。

10.一種如權利要求1～9所述方法制備的自組裝納米金屬或半導體顆粒摻雜石墨烯微片的用途，在于作為光催化、導電磁和光敏電極材料的應用。