[發(fā)明專利]BCH碼檢糾錯方法、電路及容錯存儲器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310224101.2 | 申請日: | 2013-06-05 |
| 公開(公告)號: | CN103269231A | 公開(公告)日: | 2013-08-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張怡云;陳后鵬;宋志棠 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 |
| 主分類號: | H03M13/15 | 分類號: | H03M13/15 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所 31219 | 代理人: | 李儀萍 |
| 地址: | 200050 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | bch 糾錯 方法 電路 容錯 存儲器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域,特別是涉及一種BCH碼檢糾錯方法、電路及容錯存儲器。
背景技術(shù)
相變存儲器是一種利用相變材料非晶態(tài)時的半導(dǎo)體高阻特性與結(jié)晶態(tài)時的金屬低阻特性實現(xiàn)存儲的技術(shù),其可靠性通常從三個方面來考慮:數(shù)據(jù)保持,即存儲單元維持?jǐn)?shù)值的能力;耐久力,即存儲單元對于讀寫次數(shù)的耐久力;讀寫干擾,即芯片在讀寫時對于存儲單元的干擾。其中,相變存儲器的數(shù)據(jù)保持與耐久力都取決于存儲材料本身,而讀寫干擾則與陣列結(jié)構(gòu)及提供的讀寫電流相關(guān)。讀寫干擾所導(dǎo)致的失效也有多種原因,常見的有寫操作導(dǎo)致臨近單元受到影響,以及讀操作時,材料內(nèi)部缺陷或污染導(dǎo)致溫度自增產(chǎn)生寫的效果,破壞存儲數(shù)據(jù)等。
為減少以上可能的失效,提高存儲器的可靠性,對于少量隨機錯誤進行檢測并更正可以進一步提升存儲準(zhǔn)確率,因此,迫切需要設(shè)置糾錯碼電路(ECC)來提高存儲器的可靠性。
BCH碼是循環(huán)碼中的一個重要子類,其具有糾多個隨機錯誤的能力,且有著嚴(yán)密的代數(shù)結(jié)構(gòu),是目前研究的最為透徹的一類碼。BCH碼滿足公式其中m是需存儲的數(shù)據(jù)的位數(shù),k是校驗數(shù)據(jù)的位數(shù),t是編碼所能糾正的最多誤碼位數(shù),對于固定的m和t,滿足公式的k很少能使等號成立,能糾正的位數(shù)也僅限于t位及t位以下。基于BCH編碼現(xiàn)今已有許多已成系統(tǒng)的高效譯碼方案,為充分利用其循環(huán)的特性,多采用串行的實現(xiàn)方式,由此會存在一定的時鐘延遲,一種較為典型的實現(xiàn)方法為計算校正子,隨后采用彼得森算法得到錯誤多項式,再用錢氏搜索電路得到錯誤位置并改正。
然而該種典型譯碼方案由于存在時鐘延遲,難以適用于對時序有特別要求的存儲器。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點,本發(fā)明的目的在于提供一種BCH碼檢糾錯方法及電路,以實現(xiàn)對BCH碼的t位糾錯的保證下,糾一部分t位以上的錯,其中,t為所能糾正的最多誤碼位數(shù)。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種容錯存儲器。
為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,本發(fā)明提供一種BCH碼檢糾錯方法,其至少包括:
1)基于已經(jīng)過BCH編碼的待檢驗BCH數(shù)據(jù)組的監(jiān)督矩陣來計算所述待檢驗BCH數(shù)據(jù)組的待比較校正子;
2)若所述待比較校正子不為0,則將所述待比較校正子與多個標(biāo)準(zhǔn)校正子進行比較,并基于與所述待比較校正子不同的數(shù)據(jù)位數(shù)量最少、且所指明的錯誤位數(shù)也最少的標(biāo)準(zhǔn)校正子來校正所述待檢驗BCH數(shù)據(jù)組中的相應(yīng)數(shù)據(jù)。
本發(fā)明還提供一種BCH碼檢糾錯電路,其至少包括:
生成電路,用于基于已經(jīng)過BCH編碼的待檢驗BCH數(shù)據(jù)組的監(jiān)督矩陣來計算所述待檢驗BCH數(shù)據(jù)組的待比較校正子;
糾錯電路,用于若所述待比較校正子不為0,則將所述待比較校正子與多個標(biāo)準(zhǔn)校正子進行比較,并基于與所述待比較校正子不同的數(shù)據(jù)位數(shù)量最少、且所指明的錯誤位數(shù)也最少的標(biāo)準(zhǔn)校正子來校正所述待檢驗BCH數(shù)據(jù)組中的相應(yīng)數(shù)據(jù)。
本發(fā)明還提供一種容錯存儲器,其至少包括:
存儲陣列;
與所述存儲陣列連接的讀寫控制單元;
基于BCH編碼的編碼單元,用于對待存儲數(shù)據(jù)進行BCH編碼后送入所述讀寫控制單元;
前述的BCH碼檢糾錯電路,與所述讀寫控制單元相連接,用于將所述讀寫控制單元讀出的數(shù)據(jù)進行糾錯后輸出;
接口單元,分別與所述編碼單元及BCH碼檢糾錯電路相連接,用于將接入的待存儲數(shù)據(jù)送入所述編碼單元進行BCH編碼以及將所述BCH碼檢糾錯電路糾錯后的數(shù)據(jù)輸出。
如上所述,本發(fā)明的BCH碼檢糾錯方法、電路及容錯存儲器,具有以下有益效果:可以最大限度地利用校驗位,在滿足公式的前提下,其中m是需存儲的數(shù)據(jù)的位數(shù),k是校驗位的位數(shù),t編碼所能糾正的最多誤碼位數(shù),在完成BCH碼糾t位錯的保證下,糾一部分t位以上的錯;且電路可以用純邏輯的形式實現(xiàn),不含時鐘,只存在門延遲,適合應(yīng)用于SPI接口之類對時序有特別要求的情況。
附圖說明
圖1顯示為本發(fā)明的BCH碼檢糾錯方法的流程圖。
圖2顯示為本發(fā)明的BCH碼檢糾錯電路示意圖。
圖3顯示為本發(fā)明的容錯存儲器示意圖。
元件標(biāo)號說明
1?????????BCH碼檢糾錯電路
11????????生成電路
12????????比較電路
13????????糾錯電路
2?????????容錯存儲器
21????????存儲陣列
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