[發明專利]PMOS晶體管及其制作方法

有效

• 申請號: 201310224079.1
• 申請日: 2013-06-05
• 公開（公告）號: CN104217956B
• 公開（公告）日: 2017-05-17
• 發明（設計）人: 劉佳磊
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種PMOS晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

提供硅襯底，在所述硅襯底上形成柵極結構及側墻，所述柵極結構至少包括形成在硅襯底上的柵介質層及所述柵介質層上的柵電極層；

在硅襯底中預形成源極及漏極的區域形成sigma形凹槽；

在所述sigma形凹槽內填充硅鍺材質，所述硅鍺材質的上表面高于所述硅襯底表面；

去除所述側墻后至少在所述高于所述硅襯底表面的硅鍺材質側邊覆蓋保護層，光刻膠殘留物去除溶液對所述保護層的去除速率低于對硅鍺材質的去除速率；

形成保護層后，采用光刻膠覆蓋所述硅襯底的其它區域，以在所述側墻暴露的硅襯底區域形成輕摻雜區；

采用光刻膠殘留物去除溶液清洗所述硅襯底以形成PMOS晶體管，所述清洗過程中，高于所述硅襯底表面的硅鍺材質被所述保護層保護。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，至少在所述硅鍺材質側邊覆蓋保護層包括：

在柵極結構、硅襯底表面及硅鍺材質上覆蓋一保護層；

回蝕所述保護層以暴露出硅襯底表面，保留所述柵極結構及硅鍺材質側邊的保護層。

3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，光刻膠殘留物去除溶液包括氨水，雙氧水及水。

4.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述保護層至少包括氮化硅層、氧化硅層、摻碳氮化硅層或摻氧氮化硅層。

5.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述保護層的厚度為

6.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述保護層的形成方法包括：爐管工藝、物理氣相沉積法、化學氣相沉積法或原子層沉積法。

7.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述側墻至少包括氮化硅層，所述氮化硅層的去除溶液為熱磷酸。

8.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述側墻至少包括氧化硅層，所述氧化硅層的去除溶液為氫氟酸。

9.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述sigma形凹槽內填充硅鍺材質步驟包括：在所述硅鍺材質表面形成帽層，所述帽層的材質為硅。

10.根據權利要求1或9所述的制作方法，其特征在于，在所述sigma形凹槽內填充硅鍺材質步驟包括：先形成第一硅鍺材質層，后形成第二硅鍺材質層，所述第二硅鍺材質層的鍺含量高于所述第一硅鍺材質層的鍺含量。

11.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述硅襯底的其它區域具有半導體器件。

12.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述柵極結構還包括覆蓋所述柵介質層及所述柵電極層的覆蓋層。

13.一種根據上述權利要求1至12任一項制作方法形成的PMOS晶體管。