[發(fā)明專利]阻障堆棧和它的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310223875.3 | 申請日： | 2013-06-06 |
| 公開（公告）號： | CN103474579A | 公開（公告）日： | 2013-12-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 洛倫扎·莫羅;戴名恩·伯施;曾祥輝;西納·馬格祥夫迪 | 申請（專利權(quán)）人： | 第一毛織株式會社 |
| 主分類號： | H01L51/52 | 分類號： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 韓國慶*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 阻障 堆棧 制造 方法 | ||
1.一種阻障堆棧，包含：
包含聚合物或有機(jī)材料的第一層；
在所述第一層上并包含耐等離子體材料的第二層；
在所述第二層上并包含無機(jī)材料的第三層，所述第三層具有與所述第二層的密度和/或折射率的不同的密度和/或折射率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻障堆棧，進(jìn)一步包含第四層，其中，所述第一層在所述第四層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻障堆棧，其中，所述聚合物或有機(jī)材料選自由有機(jī)聚合物、無機(jī)聚合物、有機(jī)金屬聚合物、混合有機(jī)/無機(jī)聚合物體系、硅酸鹽、含丙烯酸酯的聚合物、含丙烯酸烷基酯的聚合物、含甲基丙烯酸酯的聚合物、基于硅氧烷的聚合物和它們的組合組成的組中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻障堆棧，其中，所述第三層的所述無機(jī)材料選自由金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、金屬碳化物、金屬硼氧化物、Al、Zr、Ti和它們的組合組成的組中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻障堆棧，其中，所述第二層的所述耐等離子體材料選自由耐等離子體聚合物、金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、金屬碳化物、金屬硼氧化物、Al、Zr、Ti和它們的組合組成的組中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的阻障堆棧，其中，所述耐等離子體聚合物選自由基于硅氧烷的聚合物、基于碳的聚合物、硅氧烷、聚丁二烯、苯乙烯丁二烯和它們的組合組成的組中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻障堆棧，其中，所述第二層具有大于約1.6或小于約1.5的折射率，和約20nm至約100nm的厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻障堆棧，其中，所述第三層具有約1.6或更大的折射率，和約20nm至約100nm的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的阻障堆棧，其中，所述第四層具有約20nm至約60nm的厚度。
10.一種制造阻障堆棧的方法，包含：
在包含聚合物或有機(jī)材料的第一層上方形成包含耐等離子體材料的第二層；
在所述第二層上形成包含無機(jī)材料第三層；
其中，所述第三層具有與所述第二層的密度和/或折射率的不同的密度和/或折射率。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，進(jìn)一步包含在第四層上形成所述第一層。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述第一層的聚合物或有機(jī)材料包含選自由有機(jī)聚合物、無機(jī)聚合物、有機(jī)金屬聚合物、混合有機(jī)/無機(jī)聚合物體系、硅酸鹽、含丙烯酸酯的聚合物、含丙烯酸烷基酯的聚合物、含甲基丙烯酸酯的聚合物、基于硅氧烷的聚合物和它們的組合組成的組中的材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述第三層的所述無機(jī)材料選自由金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、金屬碳化物、金屬硼氧化物、Al、Zr、Ti和它們的組合組成的組中。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述第二層的所述耐等離子體材料包含選自由耐等離子體聚合物、金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、金屬碳化物、金屬硼氧化物、Al、Zr、Ti和它們的組合組成的組中的材料。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述耐等離子體材料選自由基于硅氧烷的聚合物、基于碳的聚合物、硅氧烷、聚丁二烯、苯乙烯丁二烯和它們的組合組成的組中。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述第二層具有大于約1.6或小于約1.5的折射率，和約20nm至約100nm的厚度。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述第三層具有約1.6或更大的折射率，和約20nm至約100nm的厚度。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述第四層具有約20nm至約60nm的厚度。
19.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述第二層為無機(jī)材料，在所述第一層上形成所述第二層包含脈沖DC濺射，且在所述第二層上形成所述第三層包含AC濺射。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的，如有機(jī)發(fā)光二極管
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