[發明專利]用于半導體裝置中的連接的銅-鉑合金線有效
| 申請號： | 201310223610.3 | 申請日： | 2013-06-06 |
| 公開（公告）號： | CN103295993A | 公開（公告）日： | 2013-09-11 |
| 發明（設計）人： | 天野裕之;三上道孝;岡崎純一;濱本拓也;中島伸一郎;山下勉;三苫修一;小野甲介;劉斌;執行裕之 | 申請（專利權）人： | 田中電子工業株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/49 | 分類號： | H01L23/49;C22C9/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 王鐵軍 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 半導體 裝置 中的 連接 合金 | ||
1.一種用于在半導體裝置中的球焊的銅-鉑合金線，所述銅-鉑合金線是用于半導體裝置的銅-鉑二元合金線，所述銅-鉑二元合金線包含鉑(Pt)和余量的純度為99.995質量％以上的銅(Cu)，并且可通過連續拉絲獲得，其中，
作為金屬元素的0.1至2.0質量％的鉑(Pt)以及作為非金屬元素的1至10質量ppm的硫(S)和10至150質量ppm的氧(O)固溶在所述銅-鉑合金線的銅(Cu)基體中，且
6nm以下的氧化物膜覆蓋表面層。
2.一種用于在半導體裝置中的球焊的銅-鉑合金線，所述銅-鉑合金線是用于半導體裝置的銅-鉑二元合金線，所述銅-鉑二元合金線包含鉑(Pt)以及余量的純度為99.995質量％以上的銅(Cu)，并可通過連續拉絲獲得，其中，
作為金屬元素的0.1至2.0質量％的鉑(Pt)和1至5質量ppm的磷(P)以及作為非金屬元素的1至10質量ppm的硫(S)和10至150質量ppm的氧(O)固溶在所述銅-鉑合金線的銅(Cu)基體中，且
6nm以下的氧化物膜覆蓋表面層。
3.根據權利要求1或權利要求2所述的用于在半導體裝置中的球焊的銅-鉑合金線，其中，所述銅-鉑合金線的所述余量的銅(Cu)的純度為99.998質量％以上。
4.根據權利要求1或權利要求2所述的用于在半導體裝置中的球焊的銅-鉑合金線，其中，所述銅-鉑合金線具有77至105Hv的維氏硬度。
5.根據權利要求1或權利要求2所述的用于在半導體裝置中的球焊的銅-鉑合金線，其中，氧(O)的含量大于硫(S)的含量。
6.根據權利要求1或權利要求2所述的用于在半導體裝置中的球焊的銅-鉑合金線，其中，所述連續拉絲是在所述氧化物膜形成之后、在連續拉絲之前的線的線直徑的90％以上的冷加工。
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