[發(fā)明專利]Si基薄膜電池中PECVD成膜鏤空的檢測(cè)裝置及檢測(cè)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310223524.2 | 申請(qǐng)日: | 2013-06-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103307965A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-09-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 邵傳兵;劉小雨 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 山東禹城漢能光伏有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01B7/00 | 分類號(hào): | G01B7/00;G01B7/32 |
| 代理公司: | 濟(jì)南泉城專利商標(biāo)事務(wù)所 37218 | 代理人: | 李桂存 |
| 地址: | 251200 山東省德州*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | si 薄膜 電池 pecvd 鏤空 檢測(cè) 裝置 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及Si基薄膜電池生產(chǎn)領(lǐng)域,特別涉及一種Si基薄膜電池中PECVD成膜鏤空的檢測(cè)裝置及檢測(cè)方法。
背景技術(shù)
為了降低環(huán)境污染、CO2溫室氣體的排放,太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)已成為每個(gè)國(guó)家的戰(zhàn)略要求。目前,光伏市場(chǎng)的產(chǎn)品分為晶硅太陽(yáng)能電池和薄膜太陽(yáng)能電池,與晶硅太陽(yáng)能電池相比,薄膜太陽(yáng)能電池具有價(jià)錢低、污染低、靈活性高、弱光效應(yīng)好、適合大面積地區(qū)使用等優(yōu)點(diǎn)。PECVD沉積的Si/SiGe/Si三疊層結(jié)構(gòu)是薄膜電池的發(fā)電層,負(fù)責(zé)產(chǎn)生光生載流子,直接決定了Si基薄膜電池的開(kāi)路電壓、短路電流和轉(zhuǎn)換效率。
在現(xiàn)有的生產(chǎn)工藝條件下,PECVD沉積的薄膜在距玻璃短邊兩端15cm處范圍內(nèi)存在許多鏤空,鏤空規(guī)格主要集中在1mm的范圍,不僅影響發(fā)電層的開(kāi)路電壓、短路電流,還會(huì)使PECVD沉積的背電極與前電極相連形成短路,進(jìn)一步降低薄膜電池的轉(zhuǎn)換效率。所以PECVD沉積Si基薄膜的鏤空面積大小直接影響了薄膜電池的轉(zhuǎn)換效率。
目前,薄膜鏤空可采用SEM(掃描電子顯微鏡)來(lái)測(cè)量,SEM能精確觀察鏤空的大小和位置,但薄膜電池兩端鏤空的數(shù)量很多,SEM測(cè)試鏤空面積也很困難。并且SEM測(cè)試需在真空狀況下進(jìn)行,且由于針對(duì)薄膜電池尺寸的SEM設(shè)備非常昂貴。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是如何克服現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷,提供一種Si基薄膜電池中PECVD成膜鏤空的檢測(cè)裝置及檢測(cè)方法。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本Si基薄膜電池中PECVD成膜鏤空的檢測(cè)裝置,包括檢測(cè)裝置、電路系統(tǒng)和用于顯示薄膜電池中PECVD成膜鏤空面積和數(shù)量的顯示裝置;檢測(cè)裝置包括探針組和用于實(shí)現(xiàn)探針組在X軸方向做往返運(yùn)動(dòng)的運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)以及用于實(shí)現(xiàn)薄膜電池在Y軸方向做往返運(yùn)動(dòng)的定位系統(tǒng);探針組和電路系統(tǒng)形成閉合回路;顯示裝置與電路系統(tǒng)的輸出端電連接。
如此設(shè)計(jì),使用方便,可通過(guò)與探針組相連通的電路系統(tǒng)是否形成回路,通過(guò)與電路系統(tǒng)的輸出端電連接的顯示裝置檢測(cè)薄膜鏤空數(shù)量,進(jìn)而計(jì)算得到薄膜鏤空的總數(shù)量和總面積。
作為優(yōu)化,定位系統(tǒng)包括用于將薄膜電池抓緊的氣浮抓手,氣浮抓手一端連接薄膜電池,另一端連接可將薄膜電池在Y軸方向做往返運(yùn)動(dòng)的移動(dòng)機(jī)構(gòu)。如此設(shè)計(jì),便于實(shí)現(xiàn)薄膜電池在Y軸方向做往返運(yùn)動(dòng)。
作為優(yōu)化,運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)包括設(shè)置在薄膜電池外側(cè)的伺服電機(jī)和兩個(gè)軸輪,其中一個(gè)軸輪為主動(dòng)輪、連接伺服電機(jī),另一個(gè)軸輪為從動(dòng)輪;兩個(gè)軸輪通過(guò)設(shè)置在薄膜電池上方、且縱向放置的軸帶相連;還包括用于實(shí)現(xiàn)伺服電機(jī)正反轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)動(dòng)的控制電路。如此設(shè)計(jì),便于實(shí)現(xiàn)探針組在X軸方向做往返運(yùn)動(dòng)。
作為優(yōu)化,電路系統(tǒng)由電源、導(dǎo)線、二極管、探針組以及邏輯門(mén)電路組成閉合回路。如此設(shè)計(jì),可通過(guò)二極管是否導(dǎo)通來(lái)實(shí)現(xiàn)電路系統(tǒng)是否形成回路,進(jìn)而通過(guò)顯示裝置顯示是否為鏤空區(qū)域。
作為優(yōu)化,探針組固定在支撐架Ⅰ上,支撐架Ⅰ通過(guò)楔形切口定位在軸帶上,軸帶下設(shè)有支撐架Ⅱ,支撐架Ⅱ固定在防止運(yùn)行過(guò)程中探針組發(fā)生晃動(dòng)的基座上;支撐架Ⅰ通過(guò)伺服電機(jī)帶動(dòng)軸帶轉(zhuǎn)動(dòng)在支撐架Ⅱ上沿X軸方向往返運(yùn)動(dòng)。如此設(shè)計(jì),使用方便,且可運(yùn)行過(guò)程中探針組發(fā)生晃動(dòng)。
作為優(yōu)化,每個(gè)探針組均包括三個(gè)探針,分別為探針1、探針2、探針3,每組的三個(gè)探針排列設(shè)計(jì)為等腰直角三角形,探針1為直角點(diǎn),探針1分別與探針2、探針3組成邏輯與門(mén)電路。如此設(shè)計(jì),顯示裝置可收集邏輯與門(mén)電路的輸出信號(hào),進(jìn)而通過(guò)信號(hào)計(jì)算薄膜鏤空面積和數(shù)量。
作為優(yōu)化,探針組中每個(gè)探針直徑均為5微米,相鄰探針的間距為100微米。如此設(shè)計(jì),檢測(cè)效果較好。
作為優(yōu)化,探針組為9組探針,形成3*3的陣列均勻分布在薄膜電池的鏤空區(qū)域范圍內(nèi)。如此設(shè)計(jì),使用方便,且檢測(cè)效率高。
一種使用權(quán)利要求1的Si基薄膜電池中PECVD成膜鏤空的檢測(cè)裝置的檢測(cè)方法,其特征在于,包括如下步驟:
1):將PECVD沉積的薄膜電池固定在機(jī)臺(tái)上,并初始化檢測(cè)裝置和顯示裝置;
2):探針組在運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)下沿X+軸方向開(kāi)始掃描,當(dāng)電路系統(tǒng)形成回路時(shí),通過(guò)顯示裝置顯示為薄膜鏤空區(qū)域,并記錄,當(dāng)電路系統(tǒng)無(wú)法形成回路時(shí),通過(guò)顯示裝置顯示為非鏤空區(qū)域,并記錄;
3):當(dāng)探針組沿X+軸方向掃描完成后,通過(guò)定位系統(tǒng)控制,薄膜電池沿Y+軸方向移動(dòng)105-115微米,探針組沿X-軸方向掃描;
4):重復(fù)執(zhí)行上述步驟1)-3)直至完成對(duì)薄膜電池中PECVD成膜整個(gè)鏤空區(qū)域的檢測(cè);
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