[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310222771.0
• 申請(qǐng)日: 2013-06-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103515288B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-11-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鍜治昂男;佐佐木克仁;古平貴章;土井祐樹(shù);折津美奈子
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 拉碧斯半導(dǎo)體株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/762
• 分類號(hào): H01L21/762
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 舒艷君,李洋

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：

半導(dǎo)體基板；

相互分離地形成于所述半導(dǎo)體基板的一主面的第1元件分離用溝道以及第2元件分離用溝道；

形成于所述第1元件分離用溝道內(nèi)的第1絕緣物；

被所述第1元件分離用溝道圍起的多個(gè)第1元件形成區(qū)域；

形成于所述第1元件形成區(qū)域的第1半導(dǎo)體元件；

形成于所述第2元件分離用溝道內(nèi)的第2絕緣物；

被所述第2元件分離用溝道圍起的第2元件形成區(qū)域；

形成于所述第2元件形成區(qū)域的第2半導(dǎo)體元件；以及

形成于所述第1元件分離用溝道和所述第2元件分離用溝道之間的應(yīng)力緩和結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述應(yīng)力緩和結(jié)構(gòu)具備相對(duì)于所述第1元件分離用溝道傾斜角度θ且形成于所述一主面的溝道，其中，0°＜θ＜90°。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述應(yīng)力緩和結(jié)構(gòu)具備針對(duì)所述半導(dǎo)體基板賦予與所述第1絕緣物所賦予的應(yīng)力相反方向的應(yīng)力的材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述應(yīng)力緩和結(jié)構(gòu)具備形成于所述半導(dǎo)體基板的一主面的溝道和形成于所述溝道內(nèi)的第3絕緣物，在所述第3絕緣物形成有縫隙。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述應(yīng)力緩和結(jié)構(gòu)具備形成于所述半導(dǎo)體基板的一主面且在內(nèi)部具有空隙的溝道。

6.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：

半導(dǎo)體基板；

相互分離地形成于所述半導(dǎo)體基板的一主面的第1元件分離用溝道以及第2元件分離用溝道；

形成于所述第1元件分離用溝道內(nèi)的第1絕緣物；

被所述第1元件分離用溝道圍起的多個(gè)第1元件形成區(qū)域；

形成于所述第1元件形成區(qū)域的第1半導(dǎo)體元件；

形成于所述第2元件分離用溝道內(nèi)的第2絕緣物；

被所述第2元件分離用溝道圍起的第2元件形成區(qū)域；以及

形成于所述第2元件形成區(qū)域的第2半導(dǎo)體元件，

所述第2元件分離用溝道具備相對(duì)于與從所述第1元件分離用溝道朝向所述第2元件分離用溝道的方向垂直的方向傾斜角度θ，且形成于所述一主面的溝道，其中，0°＜θ＜90°。

7.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具備：

將結(jié)構(gòu)體形成于半導(dǎo)體基板的一主面的工序，該結(jié)構(gòu)體具備相互分離的第1元件分離用溝道以及第2元件分離用溝道、形成于所述第1元件分離用溝道內(nèi)的第1絕緣物、被所述第1元件分離用溝道圍起的多個(gè)第1元件形成區(qū)域、形成于所述第2元件分離用溝道內(nèi)的第2絕緣物、被所述第2元件分離用溝道圍起的第2元件形成區(qū)域、以及形成于所述第1元件分離用溝道和所述第2元件分離用溝道之間的應(yīng)力緩和結(jié)構(gòu)；

然后，在所述第1元件形成區(qū)域形成第1半導(dǎo)體元件，在所述第2元件形成區(qū)域形成第2半導(dǎo)體元件的工序。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述應(yīng)力緩和結(jié)構(gòu)具備相對(duì)于所述第1元件分離用溝道傾斜角度θ且形成于所述一主面的溝道，其中，0°＜θ＜90°。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述應(yīng)力緩和結(jié)構(gòu)具備針對(duì)所述半導(dǎo)體基板賦予與所述第1絕緣物所賦予的應(yīng)力相反方向的應(yīng)力的材料。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述應(yīng)力緩和結(jié)構(gòu)具備形成于所述半導(dǎo)體基板的一主面的溝道和形成于所述溝道內(nèi)的第3絕緣物，在所述第3絕緣物形成有縫隙。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述應(yīng)力緩和結(jié)構(gòu)具備形成于所述半導(dǎo)體基板的一主面且在內(nèi)部具有空隙的溝道。