[發明專利]銅納米線和聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)復合柔性透明電極及其制備方法

有效

• 申請號: 201310222468.0
• 申請日: 2013-06-05
• 公開（公告）號: CN103440896A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發明（設計）人: 馬延文;陳劍宇;周偉新;張自強;濮丹鳳;黃維
• 申請（專利權）人: 南京郵電大學
• 主分類號: H01B1/12
• 分類號: H01B1/12;H01B1/02;H01B5/14;H01B13/00
• 代理公司: 南京知識律師事務所 32207
• 代理人: 汪旭東

1.一種銅納米線和PEDOT：PSS復合柔性透明電極，其特征在于，柔性透明電極由銅納米線和PEDOT：PSS復合薄膜附著在透明聚合物襯底上而構成。

2.根據權利要求1所述復合柔性透明電極，其特征在于，透明聚合物為聚對苯二甲酸乙二醇酯或聚酰亞胺或聚二甲基硅氧烷或聚甲基丙烯酸甲酯或聚碳酸酯中一種或幾種混合物。

3.根據權利要求1或2所述復合柔性透明電極，其特征在于，銅納米線薄膜和PEDOT：PSS復合薄膜的厚度在5-500nm。

4.權利要求1或2制備方法，其特征在于：

A、去除PET外層保護膜；

B、將銅納米線均勻分散在溶劑中，在聚合物基板上制備銅納米線薄膜；

C、將PEDOT：PSS和銅納米線薄膜復合成薄膜；

D、對已疊加柔性基底和導電層進行熱固化加壓處理。形成柔性光電子器件用基板。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于：步驟B中銅納米線薄膜厚度在5～300nm。

6.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于：步驟B溶劑為水、乙醇、異丙醇或氮氮二甲基甲酰胺（DMF）一種或幾種混合液。

7.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于：步驟B和C中溶液為水或乙醇。

8.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于：步驟C中銅納米線和PEDOT：PSS復合薄膜的厚度在5～500nm之間，銅納米線的質量百分比為x%；PEDOT：PSS的質量百分比為(100-x)%，其中x=1-99。

9.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于：步驟B、C、D中薄膜制備采取噴涂或旋涂或自組裝或噴墨打印或絲網印刷方式。

10.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于：步驟C中銅納米線和PEDOT：PSS可形成混合溶液或單獨溶液進行薄膜加工。