[發(fā)明專利]銅納米線和聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)復(fù)合柔性透明電極及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310222468.0
• 申請(qǐng)日: 2013-06-05
• 公開（公告）號(hào): CN103440896A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬延文;陳劍宇;周偉新;張自強(qiáng);濮丹鳳;黃維
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南京郵電大學(xué)
• 主分類號(hào): H01B1/12
• 分類號(hào): H01B1/12;H01B1/02;H01B5/14;H01B13/00
• 代理公司: 南京知識(shí)律師事務(wù)所 32207
• 代理人: 汪旭東

1.一種銅納米線和PEDOT：PSS復(fù)合柔性透明電極，其特征在于，柔性透明電極由銅納米線和PEDOT：PSS復(fù)合薄膜附著在透明聚合物襯底上而構(gòu)成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述復(fù)合柔性透明電極，其特征在于，透明聚合物為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯或聚酰亞胺或聚二甲基硅氧烷或聚甲基丙烯酸甲酯或聚碳酸酯中一種或幾種混合物。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述復(fù)合柔性透明電極，其特征在于，銅納米線薄膜和PEDOT：PSS復(fù)合薄膜的厚度在5-500nm。

4.權(quán)利要求1或2制備方法，其特征在于：

A、去除PET外層保護(hù)膜；

B、將銅納米線均勻分散在溶劑中，在聚合物基板上制備銅納米線薄膜；

C、將PEDOT：PSS和銅納米線薄膜復(fù)合成薄膜；

D、對(duì)已疊加柔性基底和導(dǎo)電層進(jìn)行熱固化加壓處理。形成柔性光電子器件用基板。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于：步驟B中銅納米線薄膜厚度在5～300nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于：步驟B溶劑為水、乙醇、異丙醇或氮氮二甲基甲酰胺（DMF）一種或幾種混合液。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于：步驟B和C中溶液為水或乙醇。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于：步驟C中銅納米線和PEDOT：PSS復(fù)合薄膜的厚度在5～500nm之間，銅納米線的質(zhì)量百分比為x%；PEDOT：PSS的質(zhì)量百分比為(100-x)%，其中x=1-99。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于：步驟B、C、D中薄膜制備采取噴涂或旋涂或自組裝或噴墨打印或絲網(wǎng)印刷方式。

10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于：步驟C中銅納米線和PEDOT：PSS可形成混合溶液或單獨(dú)溶液進(jìn)行薄膜加工。