[發明專利]薄膜晶體管及其制作方法和顯示器件

有效

• 申請號: 201310221456.6
• 申請日: 2013-06-05
• 公開（公告）號: CN103325841A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發明（設計）人: 孔祥永;成軍;王東方;袁廣才
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/417;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種薄膜晶體管，包括柵極、源電極、漏電極、柵極絕緣層、半導體層和歐姆接觸層，其特征在于，所述歐姆接觸層位于所述半導體層的側面并與所述半導體層的側面接觸。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極絕緣層具有相互連通的第一凹槽和第二凹槽，所述半導體層形成在所述第一凹槽內，所述歐姆接觸層形成在所述第二凹槽內。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述歐姆接觸層包括由靠近所述半導體層到遠離所述半導體層排列并相互接觸的至少兩個子歐姆接觸層，所述至少兩個子歐姆接觸層的導電性能由靠近所述半導體層到遠離所述半導體層逐漸增強；所述源電極、漏電極分別與一遠離所述半導體的所述子歐姆接觸層接觸。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述半導體層與所述歐姆接觸層位于同一層。

5.如權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一凹槽和所述第二凹槽具有相同的深度。

6.如權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二凹槽位于所述第一凹槽的外側。

7.如權利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，多個所述子歐姆接觸層位于同一層。

8.一種顯示器件，其特征在于，所述顯示器件包括權利要求1-7任一項所述的薄膜晶體管。

9.一種形成如權利要求1-7任一項所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述半導體層和所述歐姆接觸層用注入法形成。

10.如權利要求9所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述柵極絕緣層上形成有相互連通的所述第一凹槽和所述第二凹槽，所述半導體層是將形成所述半導體層的原料注入在所述第一凹槽內形成，所述歐姆接觸層是將形成所述歐姆接觸層的原料注入在所述第二凹槽內形成。

11.如權利要求9所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

在所述柵極絕緣層上形成光刻膠層；

對所述光刻膠層進行曝光和顯影，從而在所述光刻膠層上形成完全去除區域、第一到第n部分保留區域和完全保留區域，其中所述第一到第n部分保留區域的光刻膠厚度依次增加；

對所述完全去除區域的所述柵絕緣層進行刻蝕，形成所述第一凹槽，而后采用所述注入法在所述第一凹槽內形成所述半導體層；

去除第一部分保留區域的光刻膠，并刻蝕該區域的對應的所述柵絕緣層，形成第二凹槽第一部分，而后采用所述注入法在所述第二凹槽第一部分內形成第一子歐姆接觸層；

去除第二部分保留區域的光刻膠，并刻蝕該區域的對應的所述柵絕緣層，形成第二凹槽第二部分，而后采用所述注入法在所述第二凹槽第二部分內形成第二子歐姆接觸層；如此，依次形成其它各子歐姆接觸層。

12.如權利要求10所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述第一凹槽與所述半導體層的形狀相一致，所述第二凹槽與所述歐姆接觸層的形狀相一致。

13.如權利要求9所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述注入法為噴墨打印。