[發明專利]攝像部、攝像單元及攝像顯示系統

有效

• 申請號: 201310221386.4
• 申請日: 2013-06-05
• 公開（公告）號: CN103491284B
• 公開（公告）日: 2018-03-23
• 發明（設計）人: 山田泰弘
• 申請（專利權）人: 索尼半導體解決方案公司
• 主分類號: H04N5/351
• 分類號: H04N5/351;H04N5/359;H04N5/32
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司11290
• 代理人: 褚海英,陳桂香

1.一種攝像部，其具有至少一個像素，所述像素包括：

(a)光電轉換器件，其用于接收入射光并產生對應于所述入射光的電荷；以及

(b)遮光層，所述遮光層的至少一部分位于所述光電轉換器件的外圍之外，

其中，所述光電轉換器件包括依次堆疊于基板上的第一類型的半導體層、本征半導體層以及第二類型的半導體層，并且所述遮光層的至少一部分位于所述第一類型的半導體層與所述基板之間的層中。

2.如權利要求1所述的攝像部，其中，所述像素連接至讀出控制線及信號線。

3.如權利要求2所述的攝像部，其中，所述遮光層與所述讀出控制線相對。

4.如權利要求2所述的攝像部，其中，所述遮光層與所述讀出控制線設置于同一層中。

5.如權利要求4所述的攝像部，其中，所述遮光層與所述讀出控制線是相同的材料。

6.如權利要求1所述的攝像部，其中，所述光電轉換器件用以接收入射光并產生對應于所述入射光的電荷。

7.如權利要求1所述的攝像部，其中，所述遮光層的一部分與所述光電轉換器件的一部分重疊。

8.如權利要求1所述的攝像部，其中，所述遮光層具有預定的電位。

9.如權利要求1所述的攝像部，其中，所述遮光層及所述第一類型的半導體層連接至預定的電位。

10.如權利要求1所述的攝像部，其中，所述遮光層位于柵極與基板之間。

11.如權利要求1所述的攝像部，其中，所述遮光層與柵極設置于同一層上。

12.如權利要求1所述的攝像部，其中，所述第一類型的半導體層包括低溫多晶硅。

13.如權利要求1所述的攝像部，其中，所述光電轉換器件將X射線入射光轉換成電荷。

14.一種攝像單元，其包括：

攝像部；

行掃描部；

列掃描部；以及

系統控制部，其用于控制所述行掃描部及所述列掃描部，其中，

所述攝像部包括：(a)排列成矩陣的多個像素；(b)每一像素的光電轉換器件，所述光電轉換器件用以接收入射光并產生對應于所述入射光的電荷；以及(c)每一像素的遮光層，所述遮光層的至少一部分位于所述光電轉換器件的外圍之外，所述遮光層位于所述光電轉換器件的上方，

其中，所述光電轉換器件包括依次堆疊于基板上的第一類型的半導體層、本征半導體層以及第二類型的半導體層，并且所述遮光層的至少一部分位于所述第一類型的半導體層與所述基板之間的層中。

15.如權利要求14所述的攝像單元，其中，所述光電轉換器件用以接收入射光并產生對應于所述入射光的電荷。

16.如權利要求14所述的攝像單元，其中，所述攝像部還包括波長轉換層，所述波長轉換層用以將輻射射線的波長轉換成處于所述光電轉換器件的靈敏度范圍內的波長。

17.如權利要求16所述的攝像單元，其中，所述波長轉換層用以將X射線波長轉換至所述光電轉換器件的靈敏度范圍內的波長。

18.一種攝像顯示系統，其包括：

攝像單元；

圖像處理部，以及

顯示單元，其中，

所述攝像單元包括：(a)攝像部；(b)行掃描部；(c)列掃描部；以及(d)系統控制部，其用以控制所述行掃描部及所述列掃描部，以及

所述攝像部包括：(a)排列成矩陣的多個像素；(b)每一像素的光電轉換器件，所述光電轉換器件用以接收入射光并產生對應于所述入射光的電荷；以及(c)每一像素的遮光層，所述遮光層位于所述光電轉換器件的外圍之外，

其中，所述光電轉換器件包括依次堆疊于基板上的第一類型的半導體層、本征半導體層以及第二類型的半導體層，并且所述遮光層的至少一部分位于所述第一類型的半導體層與所述基板之間的層中。