[發明專利]爐管設備的FIMS裝置有效
| 申請號： | 201310221369.0 | 申請日： | 2013-06-04 |
| 公開（公告）號： | CN103295946A | 公開（公告）日： | 2013-09-11 |
| 發明（設計）人： | 佘廣超;俞瑋;萬家俊 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/677 | 分類號： | H01L21/677;H01L21/687 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 爐管 設備 fims 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種爐管設備的FIMS裝置，所述FIMS裝置包括通道門和通道板，所述通道門設置于所述通道板上，其特征在于，所述FIMS裝置還包括傳感設備；
所述傳感設備包括發射器和接收器；
其中，所述發射器和所述接收器均設置于所述通道板的內側表面上，且該發射器和接收器分別位于所述通道門的上方和下方。
2.如權利要求1所述的爐管設備的FIMS裝置，其特征在于，所述傳感設備位于所述通道門豎直方向的中線上。
3.如權利要求1所述的爐管設備的FIMS裝置，其特征在于，所述傳感設備為光學傳感器。
4.如權利要求1所述的爐管設備的FIMS裝置，其特征在于，所述傳感設備為紅外光傳感器。
5.如權利要求1所述的爐管設備的FIMS裝置，其特征在于，所述FIMS裝置還包括晶圓盒和機械手臂；
所述晶圓放置于所述機械手臂上，且該機械手臂停留于所述通道門內側時，該晶圓的邊緣與所述傳感設備的檢測位置之間的距離d小于D；
其中，D為所述晶圓放置于所述晶圓盒中時，所述晶圓邊緣與所述晶圓盒的內壁之間的距離。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
