[發(fā)明專利]有機氨基乙硅烷前體和包含該前體的薄膜沉積的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310220939.4 | 申請日： | 2013-06-03 |
| 公開（公告）號： | CN103450242B | 公開（公告）日： | 2018-05-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 蕭滿超;雷新建;D·P·斯彭斯;H·錢德拉;韓冰;M·L·奧內(nèi)爾;S·G·瑪約加;A·瑪利卡爾朱南 | 申請（專利權(quán)）人： | 弗薩姆材料美國有限責(zé)任公司 |
| 主分類號： | C07F7/02 | 分類號： | C07F7/02;C23C16/44;C23C16/34;C23C16/36;C23C16/40 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所11256 | 代理人： | 吳亦華 |
| 地址： | 美國亞*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 有機 氨基 硅烷 包含 薄膜 沉積 方法 | ||
1.包含Si-N鍵、Si-Si鍵和Si-H3基團(tuán)的有機氨基乙硅烷前體，選自苯基甲基氨基乙硅烷和苯基乙基氨基乙硅烷。
2.權(quán)利要求1的有機氨基乙硅烷前體，所述有機氨基乙硅烷前體是苯基甲基氨基乙硅烷。
3.一種組合物，包含：
(a)至少一種包含Si-N鍵、Si-Si鍵和Si-H3基團(tuán)的有機氨基乙硅烷前體，選自苯基甲基氨基乙硅烷和苯基乙基氨基乙硅烷；和
(b)溶劑，其中所述溶劑具有沸點且其中所述溶劑的沸點和該至少一種有機氨基乙硅烷的沸點之間的差異是40℃或更小。
4.權(quán)利要求3的組合物，其中所述至少一種有機氨基乙硅烷前體是苯基甲基氨基乙硅烷。
5.權(quán)利要求3或4的組合物，其中所述溶劑包含選自醚、叔胺、烷烴、芳烴、叔氨基醚中的至少一種。
6.一種通過選自化學(xué)氣相沉積工藝和原子層沉積工藝的沉積工藝在襯底的至少一個表面上形成含硅薄膜的方法，所述方法包括：
在反應(yīng)室中提供該襯底的至少一個表面；
引入至少一種包含Si-N鍵、Si-Si鍵和Si-H3基團(tuán)的有機氨基乙硅烷前體，選自苯基甲基氨基乙硅烷和苯基乙基氨基乙硅烷；和
向反應(yīng)器中引入含氮源，其中所述至少一種有機氨基乙硅烷前體和所述含氮源反應(yīng)以在所述至少一個表面上形成薄膜。
7.權(quán)利要求6的方法，其中所述至少一種有機氨基乙硅烷前體是苯基乙基氨基乙硅烷。
8.權(quán)利要求6的方法，其中所述至少一種有機氨基乙硅烷前體是苯基甲基氨基乙硅烷。
9.權(quán)利要求6-8中任一項的方法，其中所述含氮源選自氨、肼、單烷基肼、二烷基肼、氮、氮/氫、氨等離子體、氮等離子體、氮/氫等離子體及其混合物。
10.權(quán)利要求6-8中任一項的方法，其中所述含硅薄膜選自氮化硅和碳氮化硅。
11.一種通過原子層沉積(ALD)形成含硅薄膜的方法，該方法包括以下步驟：
a.在ALD反應(yīng)器中提供襯底；
b.向ALD反應(yīng)器中提供至少一種包含Si-N鍵、Si-Si鍵和Si-H3基團(tuán)的有機氨基乙硅烷前體，選自苯基甲基氨基乙硅烷和苯基乙基氨基乙硅烷；
c.用惰性氣體吹掃ALD反應(yīng)器；
d.向ALD反應(yīng)器中提供含氮源；
e.用惰性氣體吹掃ALD反應(yīng)器；和其中重復(fù)步驟b至e直到獲得期望的薄膜厚度。
12.權(quán)利要求11的方法，其中所述至少一種有機氨基乙硅烷前體是苯基乙基氨基乙硅烷。
13.權(quán)利要求11的方法，其中所述至少一種有機氨基乙硅烷前體是苯基甲基氨基乙硅烷。
14.權(quán)利要求11-13中任一項的方法，其中所述含氮源選自氨、肼、單烷基肼、二烷基肼、氮、氮/氫、氨等離子體、氮等離子體、氮/氫等離子體及其混合物。
15.權(quán)利要求11-13中任一項的方法，其中所述含硅薄膜選自氮化硅和碳氮化硅。
16.一種使用選自等離子體增強原子層沉積(PEALD)工藝和PECCVD工藝的沉積工藝形成含硅薄膜到襯底的至少一個表面上的方法，所述方法包括：
a.在ALD反應(yīng)器中提供襯底；
b.向ALD反應(yīng)器中提供至少一種包含Si-N鍵、Si-Si鍵和Si-H3基團(tuán)的有機氨基乙硅烷前體，選自苯基甲基氨基乙硅烷和苯基乙基氨基乙硅烷；
c.用惰性氣體吹掃ALD反應(yīng)器；
d.向ALD反應(yīng)器中提供等離子體含氮源；
e.用惰性氣體吹掃ALD反應(yīng)器；和其中重復(fù)步驟b至e直到獲得期望的含硅薄膜厚度。
17.權(quán)利要求16的方法，其中所述至少一種有機氨基乙硅烷前體是苯基乙基氨基乙硅烷。
18.權(quán)利要求16的方法，其中所述至少一種有機氨基乙硅烷前體是苯基甲基氨基乙硅烷。
19.權(quán)利要求16-18中任一項的方法，其中所述含氮源選自氨、肼、單烷基肼、二烷基肼、氮、氮/氫、氨等離子體、氮等離子體、氮/氫等離子體及其混合物。
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