[發(fā)明專利]有機(jī)氨基乙硅烷前體和包含該前體的薄膜沉積的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310220937.5 | 申請日: | 2013-06-03 |
| 公開(公告)號: | CN103451619A | 公開(公告)日: | 2013-12-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 蕭滿超;雷新建;D·P·斯彭斯;H·錢德拉;M·L·奧內(nèi)爾 | 申請(專利權(quán))人: | 氣體產(chǎn)品與化學(xué)公司 |
| 主分類號: | C23C16/22 | 分類號: | C23C16/22;C07F7/10;C23C16/24;C23C16/30;C23C16/40;C23C16/34;C23C16/36;C23C16/44 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 吳亦華 |
| 地址: | 美國賓夕*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機(jī) 氨基 硅烷 包含 薄膜 沉積 方法 | ||
1.包含Si-N鍵、Si-Si鍵和Si-H2基團(tuán)的有機(jī)氨基乙硅烷前體,其由如下的式I表示:
其中R1和R3各自獨(dú)立地選自直鏈或支鏈C3-C10烷基、直鏈或支鏈C3-C10烯基、直鏈或支鏈C3-C10炔基、C1-C6二烷基氨基、吸電子基團(tuán)和C6-C10芳基;R2和R4各自獨(dú)立地選自氫、直鏈或支鏈C1-C10烷基、直鏈或支鏈C3-C10烯基、直鏈或支鏈C3-C10炔基、C1-C6二烷基氨基、吸電子基團(tuán)和C6-C10芳基;并且其中R1和R2、R3和R4、R1和R3或R2和R4中的任一組、全部或沒有一組連接在一起以形成選自取代或未取代芳族環(huán)或者取代或未取代脂族環(huán)的環(huán);條件是R1、R2、R3和R4不是異丙基。
2.權(quán)利要求1的有機(jī)氨基乙硅烷前體,其中R1和R2、R3和R4、R1和R3或R2和R4中的任一組或全部選自直鏈或支鏈C3-C6烷基并且連接以形成環(huán)狀環(huán);或者其中R1、R2、R3和R4相同但不是甲基、乙基或異丙基;或者其中R1、R2、R3和R4不同。
3.權(quán)利要求1或2的有機(jī)氨基乙硅烷前體,包含選自1,2-雙(二-仲丁基氨基)乙硅烷、苯基乙基氨基乙硅烷、1-(二-異丙基氨基)-2-(2,6-二甲基哌啶子基)乙硅烷、1,2-雙(2,6-二甲基哌啶子基)乙硅烷和1,2-雙(吡咯烷基乙硅烷)乙硅烷中的至少一種;優(yōu)選地包含選自1,2-雙(二-仲丁基氨基)乙硅烷、苯基乙基氨基乙硅烷和1,2-雙(2,6-二甲基哌啶子基)乙硅烷中的至少一種。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的
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