[發明專利]液晶顯示設備的陣列基板以及制造該陣列基板的方法

有效

• 申請號: 201310220569.4
• 申請日: 2013-06-05
• 公開（公告）號: CN103809320B
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發明（設計）人: 李宰碩;權在昶;沈有厘;金旻甫
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: G02F1/1335
• 分類號: G02F1/1335;G02F1/1368;G02F1/1333
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;劉久亮

1.一種液晶顯示設備的陣列基板，所述陣列基板包括：

薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括：

柵極，所述柵極具有圍繞該柵極的內部區域的邊緣區域，其中，所述柵極的邊緣區域在豎直方向上比所述柵極的內部區域更厚，并且所述邊緣區域的下表面與所述內部區域的下表面處于同一平面；

柵絕緣膜，所述柵絕緣膜位于所述柵極上方，并圍繞所述柵極；

源極，所述源極位于所述柵絕緣膜上；

漏極，所述漏極位于所述柵絕緣膜上；以及

半導體層，所述半導體層位于所述柵絕緣膜上，并具有由所述源極和所述漏極限定的溝道區域，其中所述溝道區域位于所述柵極的內部區域上方；

像素電極，所述像素電極位于所述柵絕緣膜上，并連接到所述漏極；

鈍化膜，所述鈍化膜位于所述源極、所述漏極、所述像素電極和所述半導體層上方；以及

光阻擋膜圖案，所述光阻擋膜圖案位于所述溝道區域上方，所述光阻擋膜圖案具有比所述源極和所述漏極的總面積更寬的面積，并且具有比所述柵極的面積更窄的面積，

其中，所述柵極是用單個半色調掩模形成的。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其中所述柵極由阻擋光的不透明金屬材料組成。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其中所述光阻擋膜圖案由阻擋光的不透明金屬材料組成。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其中所述柵極和所述光阻擋膜圖案由相同的材料組成。

5.根據權利要求1所述的陣列基板，其中所述柵極具有比所述光阻擋膜圖案更寬的面積。

6.根據權利要求1所述的陣列基板，其中所述漏極和所述源極位于所述柵極的內部區域上方。

7.根據權利要求1所述的陣列基板，其中所述柵極具有比所述源極、所述漏極和所述半導體層所占據的總面積更寬的面積。

8.根據權利要求1所述的陣列基板，所述陣列基板還包括：

公共電極，所述公共電極與所述像素電極交疊。

9.根據權利要求1所述的陣列基板，其中所述柵極的邊緣區域的頂面被定位為高于所述溝道區域的頂面。

10.一種制造液晶顯示設備的陣列基板的方法，所述方法包括如下步驟：

形成薄膜晶體管的柵極，所述柵極具有圍繞該柵極的內部區域的邊緣區域，其中，所述柵極的邊緣區域在豎直方向上比所述柵極的內部區域更厚，并且其中，形成所述柵極的步驟包括以下步驟：

在所述基板上形成柵極金屬層，

形成第一光致抗蝕劑圖案和第二光致抗蝕劑圖案，使用所述第一光致抗蝕劑圖案和所述第二光致抗蝕劑圖案作為蝕刻掩模圖案化所述柵極金屬層，使得位于柵極區域的第一柵極金屬層圖案和位于選通線區域的第二柵極金屬層圖案保留，

針對所述第一光致抗蝕劑圖案和所述第二光致抗蝕劑圖案執行灰化工藝，以形成第三光致抗蝕劑圖案和第四光致抗蝕劑圖案，所述第三光致抗蝕劑圖案暴露所述柵極金屬層的與所述柵極的內部區域相對應的中心部分，并保留在所述柵極金屬層的與所述柵極的邊緣區域相對應的邊緣部分上，所述第四光致抗蝕劑圖案保留在所述第二柵極金屬層圖案上，以及

使用所述第三光致抗蝕劑圖案作為蝕刻掩模將所暴露的柵極金屬層的中心部分蝕刻期望的厚度，使得所述柵極的邊緣區域在豎直方向上比所述柵極的內部區域更厚；

在柵絕緣膜上方形成半導體層；以及

形成所述薄膜晶體管的源極和漏極，所述源極和所述漏極在所述半導體層中限定溝道區域，

其中所述溝道區域位于所述柵極的內部區域上方。

11.根據權利要求10所述的方法，其中所述柵極金屬層由阻擋光的不透明金屬材料形成。

12.根據權利要求10所述的方法，所述方法還包括如下步驟：

在所述溝道區域上方形成光阻擋膜圖案。