[發明專利]一種半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201310220515.8
• 申請日: 2013-06-04
• 公開（公告）號: CN104217952B
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 禹國賓
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所11336
• 代理人: 董巍,高偉

1.一種半導體器件的制造方法，包括：

提供形成有隔離結構、柵極結構和位于所述柵極結構兩側的側壁結構的半導體襯底；

在所述側壁結構之間以及所述側壁結構與所述隔離結構之間的半導體襯底中形成∑狀凹槽；

在所述∑狀凹槽中依次形成嵌入式鍺硅層和硅帽層，其中，形成于所述側壁結構與所述隔離結構之間的∑狀凹槽中的硅帽層的頂部的最低處高于所述半導體襯底的表面，以確保所述硅帽層完全填充形成于所述側壁結構與所述隔離結構之間的∑狀凹槽中的嵌入式鍺硅層的頂部朝向所述隔離結構逐步傾斜而成的凹陷部；

回蝕刻所述硅帽層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成于所述側壁結構與所述隔離結構之間的∑狀凹槽中的硅帽層的頂部的最低處高于所述半導體襯底的表面不超過30nm。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用選擇性外延生長工藝形成所述嵌入式鍺硅層和所述硅帽層。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述嵌入式鍺硅層中的鍺的含量為10-50％。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述嵌入式鍺硅層中摻雜有硼。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用濕法蝕刻或干法蝕刻實施所述回蝕刻，直至所述形成于所述側壁結構與所述隔離結構之間的∑狀凹槽中的硅帽層的頂部與所述半導體襯底的表面平齊。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述濕法蝕刻的腐蝕液為氨水或者四甲基氫氧化銨溶液。

8.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述干法蝕刻的蝕刻氣體為氯化氫和溴化氫中的至少一種。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述柵極結構包括自下而上依次層疊的柵極介電層、柵極材料層和柵極硬掩蔽層。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述側壁結構至少包括氧化物層和/或氮化物層。