[發明專利]flash抗編程串擾的優化方法

有效

• 申請號: 201310220497.3
• 申請日: 2013-06-04
• 公開（公告）號: CN103345940A
• 公開（公告）日: 2013-10-09
• 發明（設計）人: 魏文;李強;蔡恩靜
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34;G11C16/08
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 竺路玲

技術領域

本發明涉及一種flash頁面架構的優化設計，屬于flash芯片抗編程串擾技術領域，尤其涉及一種flash抗編程串擾的優化方法。

背景技術

Flash做編程寫操作時，由于在一個頁面里，多根字線（WL，Word?Line）共用1根源線（SL，Source?Line），從而使與這多根字線相連的所有字節都會受到源線高壓（10.5V）的作用。這樣就導致未被選中的字節受到編程串擾。

由于處于不同位置的字節在編程操作時受到來自各處的電壓的影響不盡相同，編程串擾主要是因為未被選中的字線上的字節經受到反向隧穿的影響。與同一源線相連的多根字線里，未被選中的字線上的字節受到的編程串擾次數會被累加。所以字線根數和字線字節長度直接決定了反向隧穿編程串擾的嚴重程度。在每個頁面里，未被選中的字線上的字節中最差的字節受到編程串擾次數最多，將導致該最差的字節失效，其中，最差的字節遭受到的編程串擾主要來源于不共用字線的那些字節，編程串擾的機理主要是反向隧穿編程串擾，如圖1（a、b、c）所示。

Flash有兩種頁面架構：64字節/頁，512字節/頁。其中512字節的頁面平行分成4根字線的長度，共用一根源線。每根字線上有128個字節，按頁面做編程操作時存在很大的編程串擾風險，如圖2所示。尤其是現今很多產品應用都要求芯片背面減薄到小于100微米的厚度，后段封裝減薄工藝會消耗flash抗編程串擾的安全余量，flash芯片抗編程串擾能力會有很大程度的削弱，因而頁面的大小會嚴重影響到產品的最終良率。

中國發明專利（公開號：CN101471136）公開了防止EEPROM編程串擾的電路，包括：EEPROM存儲單元中的相鄰的位A和位B，還公開了利用上述電路防止EEPROM編程串擾的方法，在對位B的擦除開始之前，在與位A的編程/擦除節點(a)相連的位置(c)處加上一個大于所述第一存儲單元管(M3)的負閾值絕對值的電壓(Vx)；可以應用于EEPROM的編程/擦除中。

中國發明專利申請（公開號：CN101958143A）一種消除只讀存儲器位線間耦合串擾的方法和結構，采用全位線鉗位結構和時分位線鉗位屏蔽結構并配合相關時序徹底地消除了會造成誤碼的位線間耦合串擾，提高了電路的可靠性，適用于任何需要低功耗、大容量只讀數據存儲、或奇異存儲陣列結構的應用中。

上述兩專利雖然也公開了防編程串擾的方法，但其應用領域和本發明不同，采用的技術手段也不同，也無法解決本發明的上述技術問題。

發明內容

針對上述存在的問題，本發明公開一種flash抗編程串擾的優化方法，以克服現有技術中后段封裝減薄工藝對flash抗編程串擾的安全余量的消耗問題，改善了flash芯片最終的產品良率。

為了實現上述目的，本發明采用如下技術方案：

一種flash抗編程串擾的優化方法，應用于一優化頁面的設計工藝中，其特征在于，采用如下步驟：提供一樣本頁面架構，該樣本頁面架構包括若干個樣本頁面，每個所述樣本頁面均包括一根源線和與該源線相連的多根字線；對所述樣本頁面架構內的所有樣本頁面進行取樣，統計每個取樣樣本頁面內最差字節的編程串擾失效的最小串擾次數；設定所述優化頁面內最差字節編程串擾的累計次數小于所述最小串擾次數，并根據所述最小串擾次數計算字線根數、每根字線字節長度，得到一系列字線取值；根據所述一系列字線取值，為每個優化頁面選取字線根數，并設定每根字線字節長度，形成優化頁面；其中，所述樣本頁面內最差字節為樣本頁面內最容易遭受編程串擾失效的字節，所述優化頁面內最差字節為優化頁面內最容易遭受編程串擾失效的字節。

上述的flash抗編程串擾的優化方法，其中，所述最小串擾次數為同一樣本頁面中不共用字線的每個字節對該樣本頁面內最差字節編程串擾，以致該樣本頁面內最差字節失效的串擾次數的最小值。

上述的flash抗編程串擾的優化方法，其中，所述累計次數為設定的同一優化頁面中不共用字線的每個字節對該優化頁面內最差字節累計的編程串擾、且該優化頁面內最差字節不失效的次數。

上述的flash抗編程串擾的優化方法，其中，所述優化頁面內最差字節編程串擾的累計次數小于所述最小串擾次數的設定方法為：設定字線根數減一后與每根字線字節長度的數值乘積小于最小串擾次數的數值。

上述的flash抗編程串擾的優化方法，其中，所述最小串擾次數為300次。

上述的flash抗編程串擾的優化方法，其中，所述字線根數為2根或4根。