[發明專利]一種硅粉的制備設備

在審

• 申請號: 201310220465.3
• 申請日: 2013-06-05
• 公開（公告）號: CN104211065A
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發明（設計）人: 林朝暉;莊輝虎
• 申請（專利權）人: 福建省輝銳材料科技有限公司
• 主分類號: C01B33/027
• 分類號: C01B33/027
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種硅粉的制備設備，其特征在于，所述設備包括反應腔室、射頻電源、噴淋電極、抽真空系統；所述的反應腔室設有反應氣體接口、射頻電源接入串口、加熱電源接口及排氣口；所述噴淋電極設于反應腔室內，其包括氣頂盒、第一加熱器、射頻電極板及接地電極板；所述氣頂盒設有布氣管道，布氣管道設有多個排氣孔；所述布氣管道與反應氣體接口連接，反應氣體在布氣管道流動，通過布氣管道的排氣孔，噴向射頻電極板和接地電解板；所述的射頻電極板通過反應腔室的射頻電源接入串口與射頻電源連接；所述抽真空系統與反應腔室的排氣口連接；所述的第一加熱器通過反應腔室的加熱電源接口與加熱電源連接；當外部射頻電源輸入時，射頻電極板與接地電極板之間的反應氣體電離成等離子體，等離子體分解沉積于兩電極板上，所述反應氣體為含硅氣體。

2.如權利要求1所述的硅粉的制備設備，其特征在于，所述排氣孔均勻分布。

3.如權利要求1所述的硅粉的制備設備，其特征在于，所述硅粉的制備設備進一步包括硅料槽，所述硅料槽用于接收射頻電極板和接地電極板上面掉落的硅粉。

4.如權利要求3所述的硅粉的制備設備，其特征在于，所述硅粉的制備設備進一步包括第二加熱器，所述的第二加熱器用于加熱硅料槽提純硅粉。

5.如權利要求1所述的硅粉的制備設備，其特征在于，所述硅粉的制備設備進一步包括真空計，所述的真空計用于檢測反應腔室內的氣壓。

6.如權利要求1所述的硅粉的制備設備，其特征在于，所述含硅氣體為SiH4、SiF4、SiCl3H、SiF4、SiH2Cl2、SiCl4、H2氣體中的一種或多種。