[發明專利]多晶硅介質熔煉時管道式連續加渣方法無效
| 申請號： | 201310220000.8 | 申請日： | 2013-06-05 |
| 公開（公告）號： | CN103274416A | 公開（公告）日： | 2013-09-04 |
| 發明（設計）人： | 譚毅;王登科;侯振海;張磊 | 申請（專利權）人： | 青島隆盛晶硅科技有限公司 |
| 主分類號： | C01B33/037 | 分類號： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 266234 山東省*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多晶 介質 熔煉 管道 連續 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種多晶硅介質熔煉時管道式連續加渣方法，其特征在于包括以下步驟：
（1）將石墨管道豎直放置于石墨坩堝內正中心，并在石墨管道四周放置硅塊；
（2）對硅塊加熱使其全部熔化成硅液；
（3）從石墨管道的上端口加入渣劑，渣劑接觸到液態硅會自下而上逐步熔化，熔化的渣劑進入硅液中與硅液發生造渣反應，并向石墨坩堝內硅液表面移動，最終在硅液表面形成舊渣；
（4）舊渣在硅液表面富集，直至從石墨坩堝溢出，對舊渣進行回收。
2.根據權利要求1所述的多晶硅介質熔煉時管道式連續加渣方法，其特征在于步驟（1）中石墨管道底部與石墨坩堝內底部之間間距為5～10mm。
3.根據權利要求1所述的多晶硅介質熔煉時管道式連續加渣方法，其特征在于步驟（2）中硅液的表面溫度為1500～1800℃。
4.根據權利要求1所述的多晶硅介質熔煉時管道式連續加渣方法，其特征在于步驟（3）中渣劑的加入速度為每10分鐘加入硅塊質量的1%～5%。
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