[發(fā)明專利]薄膜太陽能電池無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310219741.4 | 申請日： | 2013-06-05 |
| 公開（公告）號： | CN103296122A | 公開（公告）日： | 2013-09-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 胡安紅;汝小寧;曲銘浩;郁操;張津燕;徐希翔 | 申請（專利權(quán)）人： | 福建鉑陽精工設(shè)備有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0725 | 分類號： | H01L31/0725;H01L31/0747;H01L31/072;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/0264;H01L31/074;H01L31/0745 |
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| 地址： | 100176 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 薄膜 太陽能電池 | ||
1.一種薄膜太陽能電池，包括玻璃基板、前電極、多結(jié)硅基薄膜電池的各層系以及背電極，其特征在于：所述多結(jié)硅基薄膜電池的底電池的N層為復(fù)合疊層結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于：所述N層復(fù)合疊層結(jié)構(gòu)依次包括非晶N型a-Si、納米硅氧μc-SiOx或納米硅碳μc-SiCx薄膜，和非晶N型a-Si或者N型微晶硅μc-Si層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜太陽能電池，其特征在于：所述納米硅氧μc-SiOx或納米硅碳μc-SiCx薄膜的導(dǎo)電類型為N型。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜太陽能電池，其特征在于：所述納米硅氧μc-SiOx或納米硅碳μc-SiCx薄膜的制備采用射頻等離子體增強化學(xué)氣相沉積技術(shù)或熱絲化學(xué)氣相沉積技術(shù)或甚高頻等離子體增強化學(xué)氣相沉積技術(shù)或電子回旋共振化學(xué)氣相沉積技術(shù)或微波等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于：所述復(fù)合疊層結(jié)構(gòu)為a-Si/μc-SiOx/a-Si，或a-Si/μc-SiOx/μc-Si，或μc-Si/μc-SiOx/a-Si或a-Si/μc-SiCx/a-Si，或a-Si/μc-SiCx/μc-Si，或μc-Si/μc-SiCx/a-Si結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜太陽能電池，其特征在于：所述復(fù)合疊層結(jié)構(gòu)中的SiOx或SiCx為摻雜的結(jié)晶化的導(dǎo)電層，晶化率在20-70％，厚度在2-150nm，折射率為1.8-2.8，電導(dǎo)率為10-1-10-8S/cm。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜太陽能電池，其特征在于：所述復(fù)合疊層結(jié)構(gòu)中的a-Si，摻雜濃度在0.2％-10％，厚度在2-15nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜太陽能電池，其特征在于：所述復(fù)合疊層結(jié)構(gòu)中的μc-Si，摻雜濃度在1％-5％，厚度在4-10nm。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
